V
帝斯曼
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
2800 V
3740 A
5880 A
60000 A
0.95 V
0.100 m
相位控制晶闸管
5STP 33L2800
文档。第5SYA1011-03 9月1日
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
产品型号
V
DRM
V
RSM1
I
DRM
I
RRM
dv / dt的
CRIT
V
RRM
5STP 33L2800 5STP 33L2600 5STP 33L2200
条件
2800 V
3000 V
2600 V
2800 V
≤
400毫安
≤
400毫安
1000 V / μs的
2200 V
2400 V
F = 50 Hz时，T
p
= 10ms的
t
p
= 5毫秒，单脉冲
V
DRM
V
RRM
T
j
= 125°C
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
j
= 125°C
机械数据
F
M
安装力
喃。
分钟。
马克斯。
a
促进
夹紧装置
夹紧装置
m
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
50米/ s的
2
百米/秒
2
1.45公斤
36 mm
15 mm
70千牛
63千牛
84千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
