半导体
技术参数
一般工业用途。
超高速开关应用。
KTX301E
外延平面PNP晶体管
硅外延平面型二极管
B
特点
其中包括两名（ TR ，二极管）的TESV设备。
简化电路设计。
减少零件和制造工艺的数量。
A1
A
C
B1
（薄至尊超级迷你型带5针）。
1
5
暗淡
A
A1
B
2
等效电路（顶视图）
记号
5
4
型号名称
5
4
H
3
4
B1
C
D
H
J
P
MILLIMETERS
_
1.6 + 0.05
_
1.0 + 0.05
_
1.6 + 0.05
_
1.2+ 0.05
0.50
_
0.2 + 0.05
_ 0.05
0.5 +
_
0.12 + 0.05
5
C
P
P
D1
Q1
C
1
2
3
1
2
3
h
FE
秩
1. D
1
2. Q
1
3. Q
1
4. Q
1
5. D
1
阳极
辐射源
BASE
集热器
阴极
MARK SPEC
TYPE
标志
KTX301E
Q
1
h
FE
等级：Y
CA
KTX301E
Q
1
h
FE
等级： GR
CB
TESV
最大额定值（ TA = 25
晶体管Q
1
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
二极管D
1
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
-30
100
150
-55~150
单位
V
V
V
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
85
80
300
100
2
-
150
-55
150
J
D
单位
V
V
A
2002. 1. 24
版本号： 1
1/2
