STY30NA50
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
初步数据
TYPE
STY30NA50
s
s
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
< 0.175
I
D
30 A
s
s
s
s
s
s
典型
DS （ ON）
= 0.15
高效，可靠的支撑架
THROUGH CLIP
±
30V栅极至源极电压额定值
重复性雪崩测试
低本征电容
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
化阈值电压蔓延
TM
Max247
TM
描述
吨他MAX247
包装是一个新的高容量
功率封装exibiting相同的占位面积为
行业标准的T O型247 ，但设计
容纳更大的硅芯片，通常
在较大的软件包，如TO -264供应。该
提高模具的能力使该器件非常适用于
降低在多个元件数量并联
设计并节省电路板空间，相对于
大包。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源（UPS ）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额因子
T
英镑
T
j
圣ORAGE温度
马克斯。工作结温
o
o
o
价值
500
500
±
30
30
19
120
300
2.4
-55到150
150
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1996年3月
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