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K9F1G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F1G08Q0M - YCB0 ， YIB0 ， PCB0 ， PIB0 K9F1G16Q0M - YCB0 ， YIB0 ， PCB0 ， PIB0
K9F1G08U0M - YCB0 ， YIB0 ， PCB0 ， PIB0 K9F1G16U0M - YCB0 ， YIB0 ， PCB0 ， PIB0
FL灰内存
最大
1024
单位
块
有效的块
参数
有效的块数
符号
N
VB
民
1004
典型值。
-
记
:
1。
K9F1GXXX0M
可能包括无效块时，先发货。附加的无效块可以发展而被使用。有效数
块呈现视为无效块的两种情况。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块。不要删除
或程序工厂标记为坏块
.
参考附件技术说明中的无效块的适当的管理。
2.第一框，它被放置在00h开始块地址，则充分保证是一个有效的块，并且不需要纠错。
AC测试条件
（ K9F1GXXX0M - XCB0 ： TA = 0 70 ° C， K9F1GXXX0M - XIB0 ： TA = -40 85°C
K9F1GXXQ0M ： VCC = 1.70V 1.95V ， K9F1GXXU0M ： VCC = 2.7V 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
K9F1GXXQ0M ：输出负载（VCC ： 1.8V +/- 10 ％ ）
K9F1GXXU0M ：输出负载（VCC ： 3.0V +/- 10 ％ ）
K9F1GXXU0M ：输出负载（VCC ： 3.3V +/- 10 ％ ）
K9F1GXXQ0M
0V至Vcc
5ns
Vcc/2
1 TTL门和CL = 30pF的
-
K9F1GXXU0M
0.4V至2.4V
5ns
1.5V
1 TTL门和CL = 50pF的
1 TTL门和CL = 100pF电容
电容
(
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 1.8V / 3.3V ， F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
IL
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
模式选择
CLE
H
L
H
L
L
L
X
X
X
X
X
ALE
L
H
L
H
L
L
X
X
X
X
(1)
X
CE
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
H
H
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
WE
RE
H
H
H
H
H
WP
X
X
H
H
H
X
X
H
H
L
0V/V
CC
(2)
PRE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0V/V
CC
(2)
数据输入
数据输出
在读（忙）
在项目（忙）
在擦除（忙）
写保护
待用
写模式
读取模式
模式
命令输入
地址输入（ 4clock ）
命令输入
地址输入（ 4clock ）
记
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2. WP和PRE应该偏向于CMOS的高或低的CMOS备用。
编程/擦除特性
参数
节目时间
假忙时间缓存计划
局部程序周期数量
在同一个页面
块擦除时间
主阵列
备用阵列
符号
t
PROG
t
CBSY
NOP
t
别尔斯
-
-
-
民
-
典型值
300
3
-
-
2
最大
700
700
4
4
3
单位
s
s
周期
周期
ms
记
： 1.最大。时间
t
CBSY
取决于内部程序完成和数据之间的时序
三星
11
