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IDT72T1845 / 55 /65 /八十五分之七十五/一百〇五分之九十五/一百二十五分之一百一十五2.5V TeraSync 18位/ 9位的FIFO
2Kx18 / 4Kx9 , 4Kx18 /
8Kx9 , 8Kx18 / 16Kx9 , 16Kx18 / 32Kx9 , 32Kx18 / 64Kx9 , 64Kx18 / 128Kx9 , 128Kx18 / 256Kx9 , 256Kx18 / 512Kx9 , 512Kx18 / 1Mx9
商业和工业
温度范围
DC电气特性
(商业: V
CC
= 2.5V ± 0.125V ,T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业: V
CC
= 2.5V ± 0.125V ,T
A
= -40 ° C至+ 85°C )
符号
I
LI
I
LO
V
OH
(5)
输入漏电流
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压,
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -8毫安
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 8毫安
@V
DDQ
= 2.5V
±
0.125V ( LVTTL )
@V
DDQ
= 1.8V
±
0.1V ( eHSTL )
@V
DDQ
= 1.5V
±
0.1V ( HSTL )
@V
DDQ
= 2.5V
±
0.125V ( LVTTL )
@V
DDQ
= 1.8V
±
0.1V ( eHSTL )
@V
DDQ
= 1.5V
±
0.1V ( HSTL )
参数
分钟。
–10
–10
V
DDQ
-0.4
V
DDQ
-0.4
V
DDQ
-0.4
马克斯。
10
10
0.4V
0.4V
0.4V
单位
A
A
V
V
V
V
V
V
V
OL
输出逻辑“ 0 ”电压,
IDT72T1845/72T1855/72T1865/72T1875/72T1885/72T1895
I
CC1
(1,2)
积极V
CC
电流(V
CC
= 2.5V)
I / O = LVTTL
I / O = HSTL
I / O = eHSTL
I / O = LVTTL
I / O = HSTL
I / O = eHSTL
40
60
60
10
50
50
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
CC2
(1)
待机V
CC
电流(V
CC
= 2.5V)
IDT72T18105/72T18115/72T18125
I
CC1
(1,2)
积极V
CC
电流(V
CC
= 2.5V)
I / O = LVTTL
I / O = HSTL
I / O = eHSTL
I / O = LVTTL
I / O = HSTL
I / O = eHSTL
50
70
70
20
60
60
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
CC2
(1)
待机V
CC
电流(V
CC
= 2.5V)
注意事项:
1.两个WCLK和RCLK切换为20MHz 。数据输入切换在10MHz 。
WCS
= HIGH ,
or
RCS
= HIGH 。
2.对于IDT72T18105 / 72T18115 / 72T18125 ,典型的我
CC1
计算(在低阻抗输出的数据)
:
为LVTTL I / O I
CC1
(毫安)= 1.0× FS , FS = WCLK = RCLK频率(以MHz为单位)
为HSTL或eHSTL I / O I
CC1
(毫安)= 30 + ( 1.0× FS ) , FS = WCLK = RCLK频率(以MHz为单位)
对于IDT72T1845 / 72T1855 / 72T1865 / 72T1875 / 72T1885 / 72T1895 ,典型的我
CC1
计算(在低阻抗输出的数据)
:
为LVTTL I / O I
CC1
(毫安) = 0.7毫安X FS , FS = WCLK = RCLK频率(以MHz为单位)
为HSTL或eHSTL I / O I
CC1
(毫安)= 30 + ( 0.7× FS ) , FS = WCLK = RCLK频率(以MHz为单位) 。
3.对于所有设备,典型的我
DDQ
计算:在高阻抗数据输出:我
DDQ
(毫安) = 0.15 X FS , FS = WCLK = RCLK频率(以MHz为单位)
在低阻抗数据输出:我
DDQ
(毫安) = (C
L
X V
DDQ
X FS X N) / 2000
FS = WCLK = RCLK频率(以MHz为单位) ,V
DDQ
= 2.5V LVTTL的;为1.5V HSTL ; 1.8V的eHSTL ,C
L
=容性负载( PF ) ,T
A
= 25°C,
N =输出的开关次数。
4.总功率消耗: PT = (V
CC
X我
CC
) + V
DDQ
X我
DDQ
).
5.输出没有3.3V宽容。
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