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HYS[64/72]D[16/32/64][300/301/320][G/H]U–[5/6]–C
无缓冲DDR SDRAM模块
电气特性
表17
参数
AC时序 - 绝对规格PC3200和PC2700
（续）
符号-6
DDR333
分钟。
时钟周期时间
马克斯。
12
12
12
—
—
—
—
+0.7
+0.7
1.25
+0.45
+0.55
–5
DDR400B
分钟。
5
6
7.5
0.4
0.4
2.2
1.75
—
–0.7
0.75
—
—
马克斯。
8
12
12
—
—
—
—
+0.7
+0.7
1.25
+0.40
+0.50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CL = 3.0
2)3)4)5)
单位注/
条件
1)
t
CK
6
6
7.5
CL = 2.5
2)3)4)5)
CL = 2.0
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入建立时间
控制和地址。输入脉冲宽度（每
INPUT）
DQ和DM输入脉冲宽度（每个输入）
t
DH
t
DS
t
IPW
0.45
0.45
2.2
1.75
–0.7
–0.7
0.75
—
—
t
DIPW
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
t
HZ
从CK / CK数据输出低阻抗时间
t
LZ
写命令1
st
DQS锁存
t
DQSS
过渡
DQS -DQ歪斜（ DQS和DQ相关
信号）
数据保持倾斜因子
DQ / DQS输出保持时间
DQS输入低（高）脉冲宽度（写
循环）
DQS下降沿到CK建立时间（写
循环）
DQS下降沿持有CK时间（写
循环）
模式寄存器设置命令周期时间
写序言建立时间
写后同步
写序言
地址和控制输入建立时间
2)3)4)5)6)
2)3)4)5)7)
2)3)4)5)7)
2)3)4)5)
t
CK
ns
ns
ns
t
DQSQ
t
QHS
t
QH
t
DQSL ，H
t
DSS
t
DSH
t
MRD
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
t
IS
TSOPII
2)3)4)5)
TSOPII
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
HP
–
t
QHS
0.35
0.2
0.2
2
0
0.40
0.25
0.75
0.8
—
—
—
—
—
0.60
—
—
—
—
—
1.1
0.60
70E+3
t
HP
–
t
QHS
0.35
0.2
0.2
2
0
0.40
0.25
0.6
0.7
0.6
0.7
0.9
0.40
40
—
—
—
—
—
0.60
—
—
—
—
—
1.1
0.60
70E+3
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
快速压摆率
3)4)5)6)10)
慢速回转
率
3)4)5)6)10)
快速压摆率
3)4)5)6)10)
地址和控制输入保持时间
t
IH
0.75
0.8
慢速回转
率
3)4)5)6)10)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
阅读序言
阅读后同步
至预充电命令
t
RPRE
t
RPST
t
RAS
0.9
0.40
42
t
CK
t
CK
ns
数据表
23
1.0版， 2004-03
