三菱晶闸管模块
TM55RZ/EZ-M,-H
中功率一般使用
绝缘型
最大平均功率
耗散（单相半波）
80
平均功耗（ W）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
θ
360°
电阻式，
感性负载
PER单个元素
平均水平的限制值
电流（单相半波）
130
180°
120°
60°
θ=30°
90°
外壳温度（ ° C）
120
110
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
50
θ
360°
阻性，感性
负载
PER单
元素
θ=30°
60° 90° 120° 180°
40
50
60
70
80
60
70
80
平均电流（ A）
平均电流（ A）
100
平均功耗（ W）
最大平均
功耗
（矩形波）
DC
270°
外壳温度（ ° C）
平均水平的限制值
电流（矩形波）
130
120
110
100
90
80
70
60
100
50
0
θ=30°
60 °90° 180° 270°直流
120°
20
40
60
80
100
θ
360°
阻性，感性
负载
PER单
元素
80
180°
120°
90°
60°
θ=30°
60
40
θ
360°
阻性，感性
负载
PER单个元素
20
0
0
20
40
60
80
平均电流（ A）
平均电流（ A）
最大平均功耗
（反向并联连接，
三相三线连接）
160
平均功耗（ W）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
θ
360°
阻性，感性
负载
PER单模块
均方根电流的限制值
（反向并联连接，
三相三线连接）
130
125
外壳温度（ ° C）
120
115
110
105
100
95
90
85
80
θ
360°
阻性，感性
负载
PER单模块
θ
θ=180°
90°
60°
30°
θ
θ=30°
60°
90°
180°
80 100 120 140 160
0
20
40
60
RMS电流（A）
RMS电流（A）
Feb.1999
