TMG5D80D
GATE特性
对国家特性MAX ）
（
100
１０
０
通态峰值电流A）
（
５
０
２
０
１
０
５
２
１
０５
．
０２
．
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ= ２ ℃
½１ ５
栅极电压
（V）
１
０
V
GM
（10V）
P
GM
（3W）
１
25℃
I+
GT1
I-
GT1
I-
GT3
０１
．
１
V
GD
0.2V）
（
I
GM
（2A）
P
G
（0.3W）
（AV）
１
０
100
1000
10000
３０
．
３５
．
栅电流mA ）
（
通态电压
（V）
功耗
（W）
６
５
４
３
２
１
０
０
０
θ
π
θ
2π
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝２゜
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
θ３ ゜
＝０
３０
６゜
=导通角
：
允许外壳温度
（℃）
７
RMS通态电流与
最大功率耗散
１５
２
RMS通态VS
允许外壳温度
１０
２
θ
＝30゜
θ
＝60゜
０
θ
３０
６゜
π
θ
2π
１５
１
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
１０
１
=导通角
：
１
２
３
４
５
６
１５
０
０
１
２
３
４
５
RMS通态电流
（A）
RMS通态电流
（A）
瞬态热阻抗
（℃/W）
６
０
浪涌通态电流额定值
（不重复）
１
０
瞬态热阻抗
浪涌通态电流A ）
（
５
０
４
０
３
０
５ H
Z
０
６ H
Z
０
２
０
１
０
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
时间
（周期）
时间
（秒）。
I
GT
-Tj
（典型值）
１０
００
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
I
GT1
3
）
（
I
＋
GT1
1
＋
）
（
I
GT1
1
）
（
１０
００
５０
０
V
GT
-Tj
（典型值）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
２０
０
V
GT1
3
）
（
V
＋
GT1
1
＋
）
（
V
GT1
1
）
（
１０
０
５
０
２
０
１
０
０
５
２
０
１
０
０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
结温。 TJ
（℃）
结温。 TJ
（℃）
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