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64MB ， 128MB ， 256MB无缓冲DIMM
引脚配置说明
针
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
SDRAM
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11
列地址： （ X8 ： CA0 CA9 ） ， （ X16 ： CA0 CA8 ）
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
该器件工作在透明模式时，雷杰低。当雷杰高，
该器件工作在注册模式。在注册模式中，地址和反对
控制输入锁存如果CLK被保持在一个高或低逻辑电平。输入被存储在
在CLK的上升沿锁存器/触发器。雷杰被连接到V
DD
通过10K欧姆
电阻在PCB上。因此，如果模块的雷杰是浮动的，该模块将作为稳压运行
istered模式。
数据输入/输出复用在相同的针。
校验位用于ECC 。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A11
地址
BA0 BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
雷杰
注册启用
DQ0 63
CB0 7
V
DD
/V
SS
数据输入/输出
校验位
电源/接地
修订版1.3 2004年5月
