ADuC836

笔记

1

温度范围ADuC836BS （ MQFP包）为-40 ° C至+ 125°C 。温度范围ADuC836BCP （ CSP封装）为-40 ° C至+ 85°C 。

2

3

4

这些数字是不是生产测试，但对产能释放的设计和/或特性数据保证。

系统零电平校准可以消除这种误差。

主ADC经过工厂校准，在25℃下用AV

DD

DV

DD

= 5 V ，得到了10这个满刻度误差

V.

如果用户电源或温度条件显著

从这些不同，内部满量程校准将恢复此错误10

V.

系统零刻度和满量程校准将完全删除此错误。

增益误差漂移是一个跨度漂移。为了计算满刻度误差漂移，失调误差漂移添加到增益误差漂移倍的满量程输入。

辅助ADC经过工厂校准，在25℃下用AV

DD

DV

DD

= 5 V屈服-2.5 LSB这个满量程误差。系统的零刻度和满标度校准

将完全删除此错误。

DAC的线性度和AC规格采用以下公式计算： 48码降低至4095 ， 0至V

REF

;减少代码为100至3950 ， 0至V系列

DD

.

增益误差是DAC的量程误差的测量。

5

6

7

8

9

一般来说，双极性输入电压范围，以主ADC由范围定

ADC

= ±(V

REF

2

RN

） / 125 ，其中：

V

REF

= REFIN （ + ）与REFIN （ - ）电压和V

REF

= 1.25 V时，内部ADC V

REF

被选中。 RN = RN2 ， RN1 ， RN0 ，例如十进制值，

V

REF

= 2.5 V和RN2 ， RN1 ， RN0 = 1 ， 1 ， 0范围

ADC

= ± 1.28 V.在单极模式下，有效范围为0 V至1.28 V在我们的例子。

10

1.25 V被用作参考电压，以辅助ADC时内部V

REF

通过XREF0和XREF1位中选择在ADC0CON和ADC1CON分别。

11

在双极性模式中，辅助ADC可以只被驱动到最小的AGND - 30 mV的由辅助ADC绝对AIN电压限制所指示的。双极

范围仍然是-V

REF

到+ V

REF

;然而，负电压被限制在-30毫伏。

该ADuC836BCP （ CSP封装）已对外贸易资质网络编辑，并与CSP封装浮动的基础测试。

配置为SPI模式引脚，配置引脚作为本次测试过程中的数字输入。

引脚CON组fi gured在我

2

只有C模式。

Flash / EE存储器可靠性特性同时适用于闪速/电擦除程序存储器和Flash / EE数据存储器。

耐力是对外贸易资质网络版100 Kcycles按照JEDEC标准。 22方法A117和在-40℃下测得的， + 25 ℃， + 85 ℃， + 125 ℃。典型的耐力在25 ° C为700 Kcycles 。

保持期限相当于在结温（T

J

） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6 eV的活化能保持期限会

随着结温降额，如图16中的Flash / EE存储器部分。

电源电流消耗是衡量正常，空闲和掉电模式在以下情况下：

普通模式：复位= 0.4 V，数字I / O引脚=开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变，核心内部执行软件循环。

空闲模式：复位= 0.4 V，数字I / O引脚=开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变， PCON.0 = 1 ，核心执行悬浮在空闲模式。

掉电模式：复位= 0.4 V，所有的P0引脚和P1.2 - P1.7引脚= 0.4 V，其他所有的数字I / O引脚开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变，

PCON.1 = 1 ，核心执行悬浮在掉电模式下， OSC通过OSC_PD位（ PLLCON.7 ）在PLLCON SFR打开或关闭。

DV

DD

在一个Flash / EE存储器编程电源电流通常会增加3毫安（ 3 V操作）和10均线（ 5 V工作电压）或擦除周期。

12

13

14

15

16

17

18

19

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–8–

REV 。一