HT95LXXX
I / O口上拉电阻，唤醒功能是通过掩膜选项选择
I / O端口
PA7~PA0
PB7~PB0
PD7~PD0
PE3~PE0
PF7~PF0
PG3~PG0
产量
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
输入
支持HT95LXXX
上拉电阻唤醒功能的400 / 40P 300 / 200 30P / 20P 100 / 10P 000 / 00P
每个位选择
每个位选择
每四位选定
每四位选定
每四位选定
每四位选定
每个位选择
*
注意：
指不可用
V
0：N TR 0 1 B它
D上TA B美国
D
C k的
W R ITE C 0 TR l研究例如是德
建华IP （E S） （E T）
- [R E A维C O 4 N TR l研究例如是德
Q
Q B
S
一ll I / O
D上TA B它
Q
D
C k的
Q B
S
P为s
P ü
D D
W R ITE D A TA 例如是德
M
U
- [R E A D D助教例如是德
S y时骤米W上的K E特征-u P
（ P A 0：N LY）
X
P A W上的K E特征 - U P O·P TIO N 0 7
输入/输出端口
一些输入/输出管脚可以通过软件相匹配，以液晶显示输出。
寄存器位读/写标签值
5
LCDIO
(28H)
RW SPE0
0
1
0
1
0
1
0
1
400/40P
300/30P
200/20P
COM7~COM0
PD7~PD0
100/10P
000/00P
SEG47~SEG44
PE3~PE0
SEG43~SEG40
PD7~PD4
SEG39~SEG36
PD3~PD0
COM7~COM0
COM7 COM0不可用
SEG19 SEG16 SEG15 SEG12
PE3~PE0
PE3~PE0
7
RW SPD1
6
LCDC
(2DH)
RW SPD0
1
RW VBIAS
当PD0 PD7或PE0 PE3未选中时，I / O端口控制寄存器PDC （ 19H ） ， PEC （ 1BH ）可能是
可读/可写的和可作为一般用户的RAM，但这个功能是不可用的寄存器的PD （18H ）和PE
(1AH).
修订版1.20
22
2004年5月26日
