飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式
逻辑电平场效应功率
晶体管在一个塑料全包
信封。
该装置适用于在使用中
开关电源
（SMPS） ，电机控制，焊接
的DC / DC和AC / DC转换器，以及
在汽车和通用
开关应用。
BUK573-60A/B
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DS （ ON）
参数
BUK573
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力;
V
GS
= 5 V
马克斯。
-60A
60
13
25
0.085
马克斯。
-60B
60
12
25
0.1
单位
V
A
W
钉扎 - SOT186A
针
1
2
3
门
漏
来源
描述
引脚配置
例
符号
d
g
孤立的情况下，
1 2 3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
±V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
t
p
≤
50
s
T
hs
= 25 C
T
hs
= 100 C
T
hs
= 25 C
T
hs
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
-60A
13
8.2
52
25
150
150
马克斯。
60
60
15
20
-60B
12
7.6
48
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
C
热阻
符号参数
R
日J- HS
R
日J-一
热阻结到
散热器
热阻结到
环境
条件
带散热器
复合
分钟。
-
-
典型值。
-
55
马克斯。
5
-
单位
K / W
K / W
1994年2月
1
启1.100
