飞思卡尔半导体公司
表34. ADC特性（续）
性能） ， ADC时钟= 4MHz时， 3.0-3.6V ，T
A
= -40 °至+ 85°C ，C
L
≤
50pF的，女
OP
= 80MHz的
特征
开机时间
转换时间
采样时间
输入电容
符号
t
ADPU
t
ADC
t
ADS
C
ADI
E
收益
V
OFFSET
THD
SINAD
ENOB
SFDR
BW
I
ADC
I
VREF
民
—
—
—
—
0.95
-80
60
55
9
65
—
—
—
典型值
16
6
1
5
1.00
-15
64
60
10
70
100
50
12
工作条件：
V
SS
= V
SSA
= 0 V, V
DD
= V
DDA
= 3.0–3.6 V, V
REF
= V
DD
-0.3V ， ADCDIV = 4,9 ，或14 （对于最佳
最大
—
—
—
—
1.10
+20
—
—
—
—
—
—
16.5
单位
t
AIC
周期
6
t
AIC
周期
6
t
AIC
周期
6
pF
6
—
mV
dB
dB
位
dB
千赫
mA
mA
飞思卡尔半导体公司...
增益误差（转让收益）
5
失调电压
5
总谐波失真
5
信号与噪声失真
5
有效位数
5
无杂散动态范围
5
带宽
ADC静态电流（两个ADC ）
V
REF
静态电流（两个ADC ）
1.为了达到最佳的ADC性能，保持最小V
ADCIN
重视>为25mV 。输入小于25mV的可转换
为0的数字输出代码。
2. V
REF
必须等于或小于V
DDA
并且必须大于2.7V 。为了获得最佳的ADC性能，设置V
REF
到V
DDA
-0.3V.
3.测量10-90 ％范围内。
4. LSB =最低有效位。
5.通过特性保证。
6.
t
AIC
= 1/
f
ADIC
ADC的模拟输入
3
1
2
4
图28.等效模拟输入电路
1.
2.
3.
4.
寄生电容由于封装，引脚到引脚，引脚和封装基地耦合。 （ 1.8pf ）
寄生电容由于芯片接合垫， ESD保护器件和信号路由。 （ 2.04pf ）
等效电阻的ESD隔离电阻器和信道选择MUX 。 （ 500欧姆）
采样电容在采样和保持电路。 （为1pF ）
36
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56F803技术数据
