ADuM1100
参数
切换规格（续）
传播延迟偏斜
（平等温度，电源）
6, 8
5 V / 3 V操作
3 V / 5 V工作电压
输出上升/下降时间（ 10 ％至90 ％ ）
共模瞬态抗扰度在
逻辑低/高输出
8
输入动态功耗电容
10
5 V / 3 V操作
3 V / 5 V工作电压
输出动态功耗电容
10
5 V / 3 V操作
3 V / 5 V工作电压
符号
t
PSK2
9
12
t
R
, t
f
|厘米
L
|,
|厘米
H
|
C
PD1
C
PD2
8
14
pF
pF
25
3
35
ns
ns
ns
KV / μs的
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
V
I
= 0或V
DD1
, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
民
典型值
最大
单位
测试条件
35
47
pF
pF
笔记
1
所有电压均参照其各自的地。
2
输出电源电流值是在无输出负载存在。的电源电流在给定的信号频率时绘制的输出负载是存在由下式给出
I
DD2(L)
=
I
DD2
+
V
DD2
×
f
×
C
L
，其中，
I
DD2
是空载输出电源电流，
f
是输入信号的频率，并
C
L
是输出负载电容。
3
的最小脉冲宽度为最短的脉冲宽度，在其中规定的脉宽失真得到了保证。
4
的最大数据速率是指在指定的脉宽失真得到保障的最快的数据速率。
5
t
PHL
从50％的水平在V的下降沿的测量
I
信号至50％的水平在V的下降沿的
O
信号。吨
PLH
从50％的水平的测定
在V的上升沿
I
信号至50％的水平在V的上升沿的
O
信号。
6
由于ADUM1100的输入阈值是在电压高于50％的水平的典型的输入信号，测得的传播延迟和其他脉宽失真
可能受到低速的输入上升/下降时间。请参阅传输延迟相关的参数部分，图3至图7的信息，给定输入的影响
上升/下降时间上的这些参数。
7
脉宽失真的变化相对于温度是在脉宽失真的变化在工作温度下一个1 ℃的变化量的绝对值。
8
t
PSK1
是在T最坏情况下的差的量值
PHL
和/或叔
PLH
将单元之间的内相同的工作温度和输出负载进行测量
推荐的工作条件。吨
PSK2
是在T最坏情况下的差的量值
PHL
和/或叔
PLH
将单元之间以相同的操作来测定
温度，电源电压和输出负载范围内推荐的工作条件。
9
CM
H
是，可以持续维持V中的最大共模电压的变化率
O
> 0.8 V
DD2
。厘米
L
是最大共模电压压摆
可以持续，同时保持V速度
O
< 0.8 V共模电压压摆率适用于上升沿和下降沿。瞬时幅值是
范围在其上的共模模压摆。
10
动态功耗的电容由下式给出
C
PDI
= (I
DDi(100)
– I
DDI （ Q）
)/(V
DDI
×
f),
哪里
i
= 1或2，并且
f
是输入信号的频率。
电源电流消耗在给定的频率和输出负载被计算为
I
DD1
=
C
PD1
×
V
DD1
×
f
+
I
DD1(Q)
;
I
DD2(L)
= (C
PD2
+
C
L
)
×
V
DD2
×
f
+
I
DD2(Q)
，其中，
C
L
是输出负载电容。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
封装特性
参数
电阻（输入输出）
1
电容（输入输出）
1
输入电容
2
输入IC结至外壳
热阻
输出IC结至外壳
热阻
封装功耗
符号
R
我-O
C
我-O
C
I
θ
JCI
θ
JCO
P
PD
民
典型值
10
12
1
4.0
46
41
最大
单位
pF
pF
° C / W
° C / W
测试条件
F = 1 MHz的
热电偶位于中心
包的底部
240
mW
笔记
1
设备认为是一个双端器件：引脚1 ， 2 ，3和4短接在一起，并且销5，图6 ，图7和8短接在一起。
2
输入电容的测量是在引脚2 （Ⅴ
I
).
英文内容
–5–
