晶体管
EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N /
FMW6 / FMW10 / IMX4
高转换频率（双晶体管）
EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N /
FMW6 / FMW10 / IMX4
!
特点
1 ）两个2SC3837K芯片在EMT或UMT或SMT封装。
2）高的过渡频率。 （F
T
=1.5GHz)
3 ）低输出电容。 （COB = 0.95pF ）
!
等效电路
EMX4 / UMX4N
(3)
(2)
(1)
IMX4
(4)
(5)
(6)
UMW6N
(3)
(2)
(1)
FMW6
(3)
(4)
(5)
UMW10
(3)
(2)
(1)
FMW10
(3)
(4)
(5)
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
(2)
(1)
(4)
(5)
(2)
(1)
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N
FMW6 / FMW10 / IMX4
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
范围
30
18
3
50
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
~
+150
单位
V
V
V
mA
mW
1
2
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
!
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
h
FE
配对
跃迁频率
输出电容
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
h
FE1 /
h
FE2
f
T
COB
分钟。
30
18
3
27
0.5
600
典型值。
1
1500
0.95
马克斯。
0.5
0.5
270
0.5
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=10V
V
EB
=2V
条件
V
CE
/I
C
=10V/10mA
I
C
/I
B
=20mA/4mA
V
CE
/I
C
=10V/10mA
V
CE
/I
C
=10V/10mA,
f=200MHz
V
CB
/ F = 10V / 1MHz时，我
E
=0A
