HI-7153
表3.缓慢的内存模式I / O真值表（ SMODE = V + ）
CS
0
0
1
0
0
0
X
WR
0
X
X
X
X
X
X
RD
X
X
X
0
0
0
1
公共汽车
X
X
X
1
0
0
X
HBE
X
X
X
X
0
1
X
ALE
X
1
X
X
X
X
X
启动转换。
选择复用的信道。地址数据被锁存ALE下降的边缘。闩
是当ALE为高电平透明。
禁用所有的芯片命令。
启用D0 - D9和OVR 。
低字节使能： D0 - D7
高字节使能： D8 - D9 ， OVR
禁用所有输出（高阻抗） 。
功能
X =无关
表4.快速记忆模式I / O真值表（ SMODE = DG）
CS
0
0
1
0
0
0
X
WR
0
X
X
X
X
X
X
RD
X
X
X
0
0
0
1
公共汽车
X
X
X
1
0
0
X
HBE
X
X
X
X
0
1
X
ALE
X
1
X
X
X
X
X
功能
连续转换， WR可绑DG 。
选择复用的信道。地址数据被锁存ALE下降的边缘。闩
是当ALE为高电平透明。
禁用所有的芯片命令。
启用D0 - D9和OVR 。
低字节使能： D0 - D7
高字节使能： D8 - D9 ， OVR
禁用所有输出（高阻抗） 。
X =无关
表5. DMA模式I / O真值表（ SMODE = V + ， CS = WR = RD = DG ）
公共汽车
X
1
0
0
HBE
X
X
0
1
ALE
1
X
X
X
功能
选择复用的信道。地址数据被锁存ALE下降的边缘。锁存器是透明的，当ALE为高电平。
启用D0 - D9和OVR 。
低字节使能： D0 - D7
高字节使能： D8 - D9 ， OVR
X =无关
列于表5为工作在DMA模式。
前，系统接地星形连接应放置在
关闭此引脚越好。
正如在任何模拟系统，良好的电源旁路是必要的
为了达到最佳的系统性能。电源
用品应当具有至少一个20μF的钽被旁路
和一个0.1μF的陶瓷电容到地。参考输入
要绕过一个0.1μF的陶瓷电容AG 。
电容器引线应尽可能短。
在HI- 7153的销布置成使得所述模拟
销以及分离从数字引脚。尽管这
安排，总有一些引脚到引脚耦合。
因此，模拟输入到该设备不应
从非常高的输出阻抗源驱动。 PC板
布局应筛选的模拟和参考输入，
保护环两侧的PC板，连接至AG 。
优化系统性能
在HI- 7153有三个接地引脚（AG ， DG ， GND）为
改进系统的精确度。适当的接地和旁路
示于图3中。 AG引脚是接地引脚和是
内部作为参考地。参考输入
和模拟输入应参照的是模拟地
（ AG）的引脚。数字输入和输出应参考
以数字地（ DG）的引脚。 GND引脚是返回点
对于比较器阵列的电源电流。该compara-
器阵列被设计为使得该电流是约
在所有时间常数，并与输入电压不发生变化。通过
凭借该比较器的开关电容性质，它是
要牢牢把握GND在任何时候都为零伏。 There-
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