
5.0交流特性读周期
(V
DD
= 5.0V
±
10%) (T
C
= -55 ° C至+ 125°C的"C"筛选和-40 ° C至+ 125°C的"W"筛选)
符号
t
AVYV 5
t
YLYH5
t
CLYX 1,5
t
LLYX 1,5
t
AVGV 5
t
CLGX 5
t
AVDV 2,5
t
RLDV 2
t
CLDV 5
t
RHDZ 5
t
RXDX5
f
OSC 5
T
OSC 5
t
XHCH
t
CLCL 6
t
CHCl 3 5
t
CLLH
t
LLCH 5
t
LHLH 2,6
t
LHLL 5
t
AVLL 5
t
LLAX
t
LLRL
t
RLCL
t
RLRH 2
t
RHLH 3,5
t
RLAZ5
参数
地址有效到安装就绪
无准备时间
CLKOUT低就绪后保持
ALE低后保持就绪
地址有效到BUSWIDTH设置
CLKOUT低后BUSWIDTH举行
地址有效到输入数据有效
RD主动到输入数据有效
CLKOUT低到输入数据有效
RD端输入数据浮动
RD无效后数据保持
在晶振频率
XTAL1周期(1 /女
OSC
)
XTAL1高到CLKOUT高或低
CLKOUT周期时间
CLKOUT高发期
CLKOUT下降沿到ALE崛起
ALE下降沿到CLKOUT上升
ALE周期时间
ALE高发期
地址设置到ALE下降沿
ALE的下降沿后地址保持
ALE下降沿到RD下降沿
RD低到CLKOUT下降沿
RD低潮期
RD上升沿到ALE上升沿
RD低到地址浮
5 (见注5 )
5
0
0
1 (见注7 )
50 (见注6 )
0
2T
OSC
典型
T
OSC
- 10
-5
-10
4T
OSC
典型
T
OSC
- 10
T
OSC
- 15
T
OSC
- 20
T
OSC
- 5
-5
T
OSC
- 5
T
OSC
-10
-5
T
OSC
+10
+5
T
OSC
+5
T
OSC
+10
+10
T
OSC
+15
T
OSC
+10
+15
+10
0
3T
OSC
- 29
T
OSC
- 26
T
OSC
- 26
T
OSC
-10
T
OSC
-10
20 (见注6 )
1000(见注7 )
+25
0
T
OSC
最低
最大
2T
OSC
- 30
没有上限
2T
OSC
- 20
3T
OSC
- 20
2T
OSC
- 30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns