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MB84VD2108X
-85
/MB84VD2109X
-85
表2.2用户总线操作（闪光
=
字模式; CIOf
=
V
CC
楼SRAM
=
字节模式;首席信息官
=
V
SS
)
手术
（注1,3）
持续进修基金
CE1S CE2s OE WE SA
LBS
（注6 ）
瑞银
（注6 ）
DQ
0
to
DQ
7
DQ
8
to
DQ
15
RESET
WP / ACC
（注5 ）
全备
H
H
H
X
L
H
X
H
X
H
X
L
L
X
L
H
X
L
X
L
X
L
H
H
X
H
X
H
L
H
L
X
X
H
X
H
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
SA
SA
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
高-Z高阻
高-Z高阻
高-Z高阻
高-Z高阻
D
OUT
D
IN
D
OUT
D
IN
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
H
X
输出禁用
L
从Flash中读取
（注2 ）
写FLASH
从SRAM读
写入SRAM
临时
业集团
解除保护
（注4 ）
闪存硬件
RESET
引导扇区座
写保护
L
L
H
H
H
X
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
X
X
X
H
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
高-Z高阻
X
X
L
X
X
L
传说：L
=
V
IL
, H
=
V
IH
, X
=
V
IL
或V
IH
。请参见“电气特性1 。
DC特性
对于
电压电平。
注：除表示此列1.其他操作都被禁止。
2.我们可以为V
IL
如果OE为V
IL
， OE在V
IH
启动写操作。
3.不要使用CEF
=
V
IL
， CE1S
=
V
IL
和CE2S
=
V
IH
的时间。
4.它也可用于工作在扩展扇区团保护。
5. WP / ACC
=
V
IL
;保护引导扇区。
WP / ACC
=
V
IH
;清除引导扇区保护。
WP / ACC
=
V
加
（9V ） ;节目时间会减少40％ 。
6. LB
S
， UB
S
;不关心或打开。
8
