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富士通半导体
数据表
DS05-50201-2E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
16M （ × 8 / × 16 ）Flash存储器&
2M （ × 8 / × 16 ）静态RAM
MB84VD2108X
-85
/MB84VD2109X
-85
s
特点
2.7至3.6 V电源电压
高性能
85 ns最大访问时间
工作温度
25
to
+85 °C
包61球FBGA封装， 56引脚TSOP （ I）
（续）
s
产品阵容
FL灰内存
订货型号
V
CC
F，V
CC
s
=
3.0 V
0.3
V
+0.6
V
SRAM
MB84VD2108X-85/MB84VD2109X-85
85
85
35
85
85
45
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
s
套餐
61球FBGA封装胶
56引脚塑料TSOP （ I）
(BGA-61P-M02)
(FPT-56P-M04)
