MB84VD2108X
-85
/MB84VD2109X
-85
s
擦除和编程性能（
FL灰
)
参数
扇区擦除时间
字节编程时间
字编程时间
芯片编程时间
擦除/编程周期
范围
分钟。
100,000
典型值。
1
8
16
马克斯。
10
300
360
50
单位
s
s
s
s
周期
评论
不包括编程时间
对擦除之前
不包括系统级
架空
不包括系统级
架空
不包括系统级
架空
s
数据保持特性（
SRAM
)
参数
符号
V
DH
I
DDS2
t
CDR
t
R
待机电流
芯片取消到数据保留模式时间
恢复时间
参数说明
数据保持电源电压
V
DH
=
3.0 V
分钟。
1.5
0
t
RC
典型值。
0.2
马克斯。
3.6
5*
单位
V
A
ns
ns
注：t
RC
：读周期时间
* : 1
A
马克斯。在T
A
≤
40
°C
CE1S控制数据保留模式（注1 ）
V
CC
s
2.7 V
数据保持方式
V
IH
V
DH
CE1s
见注2
见注2
t
CDR
V
CCS
0.2
V
t
R
GND
50
