三菱的LSI

M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S

EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM

注30 ：自刷新顺序

两种清凉的方法应采用适当的视

低脉冲宽度（叔

RASS

） RAS期间自刷新信号

期。

读/写操作时1.分布式刷新

（ A）时序图

读/写周期

自刷新周期

读/写周期

t

NSD

RAS

t

RASS

≥100s

t

SND

LAST

刷新周期

第一次

刷新周期

表2

读/写周期

CBR分布

刷新

只有RAS

分布式刷新

READ / WRITE

自刷新

t

NSD

≤250s

t

NSD

≤16s

自刷新

READ / WRITE

t

SND

≤250s

t

SND

≤16s

（ B）分布式刷新的定义

t

REF

t

REF

/ 512

t

REF

/ 512

RAS

刷新

周期

读/写

周期

刷新

周期

刷新

周期

读/写

周期

CBR刷新分布的定义

（包括扩展刷新）

在分布式CBR刷新执行超过512个

固定的周期（ 250μs的最大值）在128毫秒CBR循环。

RAS的定义仅分布刷新

九行地址信号的所有组合（A

0

~ A

8

）是

仅在512期不变选择（ 16μs最大） RAS

在8.2毫秒刷新周期。

注意：

可以使用CBR隐藏刷新，而不是刷新。

RAS / CAS刷新可以替代使用的RAS的只刷新。

1.1 CBR分布刷新

从读/写操作切换到自刷新操作。

从RAS的下降沿的时间间隔中的最后一个信号

CBR刷新过程中读/写操作期间周期的下降沿

RAS信号中的自刷新操作的开始边缘应

T内设置

NSD

（见表2）。

从自刷新操作切换到读/写操作。

从RAS信号在最后的上升沿的时间间隔

的自刷新操作的RAS的下降沿信号在

第一CBR刷新过程中的读/写操作期间周期应

被T内设置

SND

（见表2）。

1.2 RAS仅分布刷新

从读/写操作切换到自刷新操作。

在时间间隔t

NSD

从RAS的下降沿信号在

最后RAS只刷新在读/写操作期间周期

RAS信号中的自刷新开始时的下降沿

操作时应16μs内进行设定。

从自刷新操作切换到读/写操作。

在时间间隔t

SND

从RAS信号在上升沿

的自刷新操作结束到RAS信号的下降沿

第一CBR刷新过程中的读/写操作期间周期

应16μs内设定。

30

M5M4V4265CJ ， TP - 5 ， -5S ：正在开发中