KM44C4000C ， KM44C4100C

KM44V4000C ， KM44V4100C

CMOS DRAM

4M X 4Bit的CMOS动态RAM具有快速页面模式

描述

这是一个家庭的4,194,304 ×4位的快速页面模式的CMOS DRAM的。快速页模式提供了存储单元的高速随机存取

在同一行中。电源电压（ + 5.0V或+ 3.3V ） ，刷新周期（ 2K参考或4K参考） ，访问时间（ -5或-6 ） ，功率消耗

化（正常或低功率）和封装类型（ SOJ或TSOP -II ）是这个家族的可选功能。所有这些家庭都有CAS先接后

RAS刷新， RAS只刷新和隐藏刷新功能。此外，自刷新操作是在L型版本。

这4Mx4快速页模式DRAM系列采用了三星先进的CMOS工艺实现高带宽宽无中生有，低功耗

耗和高可靠性。它可以被用来作为主存储器，用于高层次的计算机，微型计算机及个人计算机。

特点

零件识别

- KM44C4000C / C -L （ 5V ， 4K REF）

- KM44C4100C / C -L （ 5V ， 2K参考）

- KM44V4000C / C -L （ 3.3V ， 4K REF）

- KM44V4100C / C -L （ 3.3V ， 2K参考）

有源功率耗散

单位：毫瓦

速度

4K

-5

-6

324

288

3.3V

2K

396

360

4K

495

440

5V

2K

605

550

快速页模式操作

CAS先于RAS的刷新功能

RAS-只和隐藏刷新功能

自刷新功能（L -版本只）

快速并行测试模式功能

TTL （ 5V ） / LVTTL （ 3.3V ）兼容的输入和输出

早期写或输出使能控制的写

?? JEDEC标准引脚

提供塑料SOJ和TSOP （ II ）包

单+ 5V ± 10 ％电源（ 5V产品）

单+ 3.3V ± 0.3V电源（ 3.3V产品）

刷新周期

部分

号

C4000C

V4000C

C4100C

V4100C

V

CC

5V

3.3V

5V

3.3V

2K

32ms

刷新

周期

4K

刷新周期

正常

64ms

128ms

L-版本

RAS

CAS

W

功能框图

控制

钟

VCC

VSS

VBB发生器

DATA IN

刷新计时器

刷新控制

刷新计数器

存储阵列

4,194,304 x 4

细胞

行解码器

读出放大器& I / O

卜FF器

性能范围

速度

-5

-6

DQ0

to

DQ3

t

RAC

50ns

60ns

t

CAC

13ns

15ns

t

RC

90ns

110ns

t

PC

35ns

40ns

备注

5V/3.3V

5V/3.3V

A0-A11

(A0 - A10)

*1

A0 - A9

(A0 - A10)

*1

行地址缓冲器

上校地址缓冲器

列解码器

数据输出

卜FF器

OE

注）

*1

： 2K刷新

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