BUZ 31
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
销2
3脚
G
D
S
TYPE
V
DS
I
D
R
DS （上
)
包
订购代码
BUZ 31
200 V
14.5 A
0.2
的TO-220 AB
C67078-S.1304-A2
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
I
D
14.5
A
T
C
= 30 C
漏电流脉冲
I
Dpuls
58
T
C
= 25 C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
14.5
9
mJ
I
D
= 14.5 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 1.42 mH的，
T
j
= 25 C
门源电压
功耗
200
V
GS
P
合计
±
20
95
V
W
T
C
= 25 C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
1.32
75
E
55 / 150 / 56
K / W
数据表
1
05.99
