BUZ 31
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
(T
j
)
参数：
I
D
= 9 A,
V
GS
= 10 V
0.75
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
=
(T
j
)
参数：
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1毫安
4.6
V
4.0
0.65
98%
R
DS （ ON）
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
-60
V
GS （ TH）
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
典型值
2%
98%
1.6
典型值
1.2
0.8
0.4
0.0
-60
-20
20
60
100
°C
160
-20
20
60
100
°C
160
T
j
T
j
典型值。电容
C
=
f
(V
DS
)
参数： V
GS
= 0V,
f
= 1MHz的
10
4
反向二极管的正向特性
I
F
=
(V
SD
)
参数：
T
j
, t
p
= 80 s
10
2
pF
C
10
3
A
I
F
10
1
C
国际空间站
C
OSS
10
2
10
0
C
RSS
T
j
= 25°C （典型值）
T
j
= 150℃ （典型值）
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
10
1
0
5
10
15
20
25
30
V
V
DS
40
10
-1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
半导体集团
7
07/96
