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M41T256Y
数据保持方式
凭有效V
CC
施加时， M41T256Y可以被响应
如上READ或WRITE cessed
周期。如若电源电压衰减时，
M41T256Y将自动取消，写出的程序
tecting自己当V
CC
V介于
PFD
（最大）
和V
PFD
（分钟）。这是通过在内部完成
禁止访问时钟寄存器。在这
时间，复位引脚（ RST ）驱动有源和意志
保持有效，直到V
CC
返回到正常的水平。
当V
CC
低于电池备份
切换电压（V
SO
） ，电源输入被切换
从V
CC
引脚连接到外部电池和
时钟寄存器和SRAM被从保持
连接电池供电。
所有输出变为高阻抗。上电时，
当V
CC
返回到标称值，写保护
化持续吨
REC
。 RST信号也重新
电源在此期间处于活动状态（参见图15 ，页
15).
终身calcu-的进一步更详细的审查
办法第十四，请参阅应用笔记AN1012 。
睡眠模式
为了最小化电池的电流消耗而
在存储时，该M41T256Y提供了一个用户
电池的“睡眠模式”，它断开RAM
从外部的锂电池存储器阵列
通常用于提供在非易失性操作
没有V的
CC
。这可以显著延长
电池的寿命，当非易失性能操作
值，我们就不需要了。
注意：
睡眠模式会从切断电源
RAM阵列，而不是只影响到数据保留
计时员寄存器（ 7FF0h通过
7FFFh表示 - 这包括校准寄存器） 。
睡眠模式（ SLP ）位位于寄存器
7FF8H （D ） ，必须由用户而被设置为'1'
该装置由V供电
CC
。这将“武装”了
睡眠模式锁存器，但实际上没有断开
从电源RAM阵列，直到下一次掉电
周期。这可防止即时数据的用户
在事件的损失，他无意中设置了SLP位。
一旦V
CC
低于V
SO
(V
BAT
） ，睡眠模式
电路将被啮合和RAM阵列将
与电池隔离，从而导致在两个低级
电池的电流，并且RAM中的数据的丢失。
注意：
在最初的电池连接或初始功率
应用程序不用电池，的状态
SLP位将是不确定的。因此，则SLP
位应该由用户初始化为'0'。
额外的电流减少可以通过以下方式实现
设置STOP （ ST ）位寄存器7FF9h （ D7 ）
关闭时钟振荡器。这种组合
将导致可能的最长的电池寿命，但
还浪费时间和数据。当该装置是
再次接通电源时，用户应先阅读
SLP的位，以确定该设备是否目前在
休眠模式，然后复位，以显示该位为“0”
能够在休眠模式（这不会是automatical-
LY在开机照顾） 。
注意：
参见AN1570 ， “ M41T256Y睡眠模式
功能“的详细信息，睡眠模式和
电池寿命。
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