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初步
K6R1008V1D
文档标题
64Kx16位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
工作在商用和工业温度范围。
对于AT&T
CMOS SRAM
修订历史
版本号
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修订版0.1
修订版0.2
1.0版
历史
最初的文件。
速度斌修改
目前修改
1.删除速度为12ns仓。
2.切换电流Icc工业模式。
项
前
8ns
100mA
I
CC （工业）
10ns
85mA
数据稿
五月。 11. 2001年
六月。 18. 2001
九月。 9. 2001年
十二月。 18. 2001
当前
90mA
75mA
备注
初步
初步
初步
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版1.0
2001年12月
