初步数据表

MOS集成电路

MC- 4R256CEE6B ， 4R256CEE6C

直接Rambus

TM

DRAM RIMM

TM

模块

256M字节（ 128M -字×16位）

描述

直接的Rambus RIMM模块是一个通用的高性能内存模块子系统，适用于

在范围广泛的应用程序使用，包括计算机存储器，个人计算机，工作站和其他

应用中的高带宽和低延迟是必需的。

MC- 4R256CEE6B ， 4R256CEE6C模块包括16个128M直接Rambus的DRAM （ RDRAM直接 ）

设备（

PD488448 ） 。这些是非常受16位组织为8M字的高速CMOS的DRAM 。利用

RAMBUS信号的电平（ RSL）技术允许同时使用了600MHz ， 711MHz或800MHz的传输速率

传统的系统和电路板设计技术。

直接RDRAM设备能够持续数据传输，每两个字节（每个字节16 10纳秒）1.25纳秒。

直接RDRAM的架构可实现最高的持续带宽为多，同时，

随机寻址的存储器事务。独立的控制和数据总线具有独立的行和列

对照增产95％以上的公交车的效率。直接RDRAM的32银行支持多达四个同时交易

每个设备。

特点

184边缘连接器垫1mm厚的焊盘间距

256 MB直接RDRAM存储

每个RDRAM

有32个银行， 512银行总模块

镀金触点

RDRAMs采用芯片级封装（ CSP ）

串行存在检测支持

采用2.5 V电源供电

低功耗和掉电自刷新模式

单独的行和列客车提高效率

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一号文件M14541EJ1V1DS00 （第1版）

发布日期1999年11月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

1999