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V54C316162VC
200/183/166/143 MHz的3.3伏， 2K刷新
超高性能
1M ×16 SDRAM 2组X达512Kbit ×16
s
JEDEC标准的3.3V电源
s
该V54C316162VC非常适合高
高性能显卡外设应用
s
单脉冲RAS接口
s
可编程CAS延时： 2,3
s
所有的输入进行采样，正边沿
时钟
s
可编程的缠绕顺序：顺序或
交错
s
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8和全
页顺序和1 ， 2，4， 8，用于交织
s
UDQM & LDQM字节屏蔽
s
自动&自我刷新
s
2K刷新周期/ 32毫秒
s
突发读取与单写操作
CILETIV LESOM
V54C316162VC
时钟频率（T
CK
)
潜伏期
周期时间（t
CK
)
访问时间（吨
AC
)
-5
200
3
5
5
-55
183
3
5.5
5.3
-6
166
3
6
5.5
-7
143
3
7
5.5
单位
兆赫
钟
ns
ns
特点
描述
该V54C316162VC是16777216位同步
组织为2×异步的高数据速率DRAM
524,288字由16位。该设备被设计为
符合同步设置的JEDEC标准
DRAM产品，在电气上和机械上。
同步设计，可以精确控制周期
与系统时钟。 CAS延迟，突发
长度和突发序列必须被编程
入装置之前访问操作。
V54C316162VC 1.4修订版2001年12月
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