数据表
MOS场效应
PA1870
N沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA1870是它可以是一个开关器件
直接通过2.5 V的电源驱动。
该
PA1870采用低导通电阻和
开关特性优良，并且适用于
应用，例如便携式计算机的电源开关
等等。
8
封装图（单位：mm ）
5
1
2, 3
4
5
6, 7
8
： Drain1
：源1
： GATE1
： GATE2
：源2
： Drain2
1.2最大。
1.0±0.05
0.25
3°
+5°
–3°
0.1±0.05
0.5
0.6
+0.15
–0.1
特点
可以通过一个2.5 V的电源来驱动
低通态电阻
R
DS(on)1
= 20.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.0 A)
R
DS(on)2
= 21.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 3.0 A)
R
DS(on)3
= 27.0 mΩ以下。 （V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.0 A)
内置ESD对G- s防护二极管
1
4
0.145 ±0.055
3.15 ±0.15
3.0 ±0.1
6.4 ±0.2
4.4 ±0.1
1.0 ±0.2
订购信息
产品型号
包
电源TSSOP8
0.65
0.27
+0.03
–0.08
0.8最大。
PA1870GR-9JG
0.1
0.10 M
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
注1
注2
等效电路
20
±12
±6.0
±80
2.0
150
V
V
A
A
W
°C
°C
Gate1
门
保护
二极管
Source1
Drain1
Drain2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
体
二极管
Gate2
门
保护
二极管
Source2
体
二极管
总功耗
通道温度
储存温度
-55到+150
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2
2.
装在50厘米× 1.1毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
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文档编号
G14886EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2001年4月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
2000
