MBM29PL64LM
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graming操作完成时就DQ7数据相当于写入该位的数据，在该时间
设备返回到读模式和地址不再锁存（参见"Hardware序列Flags" ） 。
写缓冲编程操作可使用标准的程序被挂起暂停/恢复的COM
mands 。
一次写入缓冲器的编程设置，系统必须再写入“程序缓冲器到闪存”命令
在扇区地址。任何其他地址/数据组合将中止写入缓冲区编程操作
并且该设备将继续繁忙状态。
写缓冲区编程序列可以中止执行以下操作：
不同的扇区地址是断言。
比其它的写数据的数据加载“循环”程序缓冲器以指定的次数后Flash"命令“ 。
阿“写至缓冲区中止复位”命令序列必须被写入到设备返回到读模式。 （见
在“ MBM29PL64LM标准命令定义”
sdevice
总线操作这个命令的详细信息
序。 ）
芯片擦除
芯片擦除是六总线周期的操作。它开始两个“解锁”写周期之后写的“设置”
命令，两个“解锁”写周期之后它调用嵌入式芯片擦除命令
擦除算法。
该设备不要求用户在擦除之前对器件进行编程。当执行嵌入式擦除
算法自动设备编程和校验整个内存之前全零数据模式
电擦除（准备阶段函数） 。该系统不要求中提供的任何控制或定时
这些操作。
该系统可以通过使用DQ确定擦除操作状态
7
（数据查询） ， DQ
6
（切换位
I
）和DQ
2
（切换位
II ）或RY / BY信号输出
。在芯片擦除开始于最后的CE或WE ，上升沿取
第一次发生在最后一个命令序列，当上DQ的数据完成
7
为“1” （见写操作
状态部分。）此时器件返回到读模式。
扇区擦除
扇区擦除是六总线周期的操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是扇区擦除命令进行。
多个扇区可以同时写入相同的6总线周期的操作进行擦除。这个序列是
其次是扇区擦除命令，在其他部门的地址写希望被同时删除。
写操作之间的时间必须小于擦除超时时间（t
拖车
） 。否则，该命令将不
接受并删除将无法启动。建议在处理器的中断在这段时间内被禁用
保证这种状态。该中断能再次出现在最后一个扇区擦除命令写入后。超时
的“T
拖车
“从去年CE或WE的上升沿，先发生者为准，将启动该部门的执行
擦除命令（S ） 。如果内部的“T发生CE或WE的一个下降沿，先发生者为准
拖车
“时间
窗外的计时器复位（ DQ显示器
3
以确定扇区擦除定时器窗口仍处于打开状态，见
DQ
3
，扇区擦除定时器） 。重置设备，一旦执行了该部门开始将损坏的数据。
在这种情况下，重新启动这些部门的擦除，让他们来完成（指写操作状态） 。
加载扇区擦除缓冲器可以以任何顺序和以任何数目的扇区（ 0至127）来完成。
扇区擦除不要求用户在擦除之前的设备进行编程。该设备可自动程序
在该领域（S ）所有内存位置使用嵌入式擦除算法被删除之前，电擦除。
当擦除扇区，其余未选择的行业不受影响。该系统不要求
在这些操作提供任何控制或定时。
该系统可以通过使用DQ确定擦除操作的状态
7
（数据查询） ， DQ
6
（触发位）或
RY / BY 。
扇区擦除后， “T开始
拖车
“时间从CE的上升沿或WE先发生者为准的
最后一个扇区擦除指令脉冲和当DQ上的数据完成
7
为“1” （见写操作状态
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