数据表
MOS场效应
NP80N04CHE ， NP80N04DHE ， NP80N04EHE
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
这些产品是N沟道MOS场效应
晶体管设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
NP80N04CHE
NP80N04DHE
NP80N04EHE
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
特点
通道温度175度额定
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 8.0 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2200 pF的典型。
内置栅极保护二极管
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
I
AS
E
AS
T
ch
T
英镑
40
±20
±80
±280
1.8
120
52 / 31 / 13
2.7 / 96 / 169
175
-55到+175
V
V
A
A
W
W
A
mJ
°C
°C
(TO-262)
漏电流（脉冲）
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
单雪崩电流
单雪崩能量
通道温度
储存温度
Note3
Note3
注意事项1 。
根据计算出的最大恒定电流。允许通道
温度。
2.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
3.
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
, V
GS
= 20 V
→
0 V （参见图4 ）
(TO-263)
热阻
渠道情况
渠道环境
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.25
83.3
° C / W
° C / W
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D14239EJ4V0DS00 （第4版）
发布日期2001年3月NS CP （ K）
日本印刷
商标
#
表示主要修改点。
1999
