SN65LVDT14 ， SN65LVDT41
SLLS530 - 2002年4月
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典型的MEMORY STICK接口扩展
SN65LVDT41
1Y
1Z
2Y
2Z
3Y
3Z
4Y
4Z
CBT
5A
5R
5B
SD2
BS
DIR
SD1
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
5Y
5D
5Z
4R
CBT
2R
3R
SN65LVDT14
1D
内存
BS
STICK
SDIO主机
调节器
DIR
SCLK
2D
3D
4D
SCLK
1R
SCLK
内存
BS棒
SDIO
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
SN65LVDT14,
SN65LVDT41
电源电压范围（2）
输入电压范围
VCC
或R
A，B ， Y或Z
人体模型（ 3 ） ， A，B ，Y ，Z和GND
人体模型（ 3 ） ，所有引脚
带电器件模型（ 4 ） ，所有引脚
连续总功率耗散
存储温度范围
-0.5到4
-0.5 6
-0.5到4
±16
±8
±500
-65到150
单位
V
V
V
KV
KV
V
°C
静电放电
见耗散额定值表
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
260
°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
（2）所有的电压值，除了差分I / O总线电压是相对于网络的接地端子。
（ 3 ）按照JEDEC标准22 ，测试方法A114 -A测试。
（ 4 ）按照JEDEC标准22 ，测试方法C101测试。
包装耗散额定值
包
PW
TA <25 ℃，
额定功率
774毫瓦
工作因子
以上TA = 25°C
6.2毫瓦/°C的
TA = 85°C
额定功率
402毫瓦
推荐工作条件
民
电源电压VCC
高电平输入电压， VIH
低电平输入电压， VIL
的差分输入电压幅度，
V
ID
0.1
VID
2
–40
3
2
0.8
0.6
2.4
*
VID
2
喃
3.3
最大
3.6
单位
V
V
V
V
V
V
°C
共模输入电压，维多利亚州（参见图1）
经营自由的空气温度， TA
2
VCC - 0.8
85
