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2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
AC特性
表14 ，R
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 3.0-3.6V
SST39LF200A/400A-45
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ
T
OH1
1
SST39LF200A/400A/800A-55
民
55
最大
55
55
30
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
15
0
ns
ns
ns
T14.7 360
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
民
45
最大
45
45
30
0
0
15
15
0
T
OHZ1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表15 ，R
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6V
SST39VF200A/400A/800A-70
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH
1
SST39VF200A/400A/800A-90
民
90
最大
90
90
45
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
30
0
ns
ns
ns
T15.6 360
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
民
70
最大
70
70
35
0
0
20
20
0
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2001硅存储技术公司
S71117-04-000 6/01
360
13
