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16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
FOR块擦除六字节码
地址
19-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
BA
X
T
BE
BEF ＃
OE ＃
T
WP
WE＃
T
BY
RY / BY ＃
T
BR
DQ
15-0
XXAA
XX55
XX80
XXAA
XX55
XX50
有效
1256 F13.0
注意：
该器件还支持BEF ＃控制的块擦除操作。
WE＃和BEF ＃信号是可以互换的，只要最小时序要求的满足。 （见表15 ）
BA
X
=块地址
X可以是V
IL
或V
IH ，
但没有其他价值。
图14 ：F
LASH
WE＃
ONTROLLED
B
LOCK
-E
RASE
T
即时通信
D
IAGRAM
(F
OR
B
YTE
M
ODE
A
-1
= D
ON
’
T
C
是
)
为
W
ORD
M
ODE
扇区擦除六字节码
地址
19-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
SA
X
T
SE
BEF ＃
OE ＃
T
WP
WE＃
T
BR
T
BY
RY / BY ＃
DQ
15-0
XXAA
XX55
XX80
XXAA
XX55
XX30
有效
1256 F14.0
注意：
该器件还支持BEF ＃控制的扇区擦除操作。
WE＃和BEF ＃信号是可以互换的，只要最小时序要求的满足。 （见表15 ）
SA
X
=扇区地址
X可以是V
IL
或V
IH ，
但没有其他价值。
图15 ：F
LASH
WE＃
ONTROLLED
S
埃克特
-E
RASE
T
即时通信
D
IAGRAM
(F
OR
B
YTE
M
ODE
A
-1
= D
ON
’
T
C
是
)
2004硅存储技术公司
为
W
ORD
M
ODE
S71256-00-000
3/04
25
