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16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
表3 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
功能
提供flash地址，A
19
-A
0
.
提供（ P） SRAM地址，
MS
-A
0
为了提供额外的地址X8 SRAM
要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。
数据在闪存擦除/编程周期内锁定。的输出是在
三态时， OE ＃为高电平或BES1 ＃是高还是BES2低， BEF ＃高。
DQ
15
作为数据I / O引脚，当在x16模式（ CIOF = “ 1 ” ）
A
-1
作为LBS的地址引脚上时在x8模式（ CIOF =“ 0”）的
要激活闪存库时BEF ＃低
A
MS1
到A
0
地址输入
SA
SRAM X8地址
DQ
14
-DQ
0
数据输入/输出
DQ
15
/A
-1
BEF ＃
BES1#
BES2
OEF ＃
2
OES ＃
2
WEF ＃
2
WES ＃
2
OE ＃
WE＃
CIOf
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
WP ＃
RST ＃
RY / BY ＃
数据输入/输出
和LBS地址
闪存银行启用
（ P） SRAM记忆库启用激活（ P） SRAM存储器组时BES1 ＃低
（ P） SRAM记忆库启用激活（ P） SRAM存储器组时BES2高
OUTPUT ENABLE
OUTPUT ENABLE
写使能
写使能
OUTPUT ENABLE
写使能
字节选择为Flash
高字节控制（ （ P） SRAM ）
低字节控制（ （ P） SRAM ）
写保护
RESET
就绪/忙＃
到门的数据输出缓冲区的Flash
2
只
到门的数据输出缓冲器SRAM
2
只
为了控制闪存的写入操作
2
只
为了控制SRAM的写操作
2
只
到栅极上的数据输出缓冲器
要控制写操作
当低，选择字节模式。当高，选择Word模式。
为了使DQ
15
-DQ
8
为了使DQ
7
-DQ
0
为了保护和取消保护的顶部8K字（ 4扇区）从擦除或编程
手术
要重置并返回该设备阅读模式
一个编程或擦除操作的输出状态
RY / BY ＃是一个漏极开路输出，所以10KΩ - 100KΩ上拉电阻要求
让RY / BY ＃变为高电平，表示该设备已准备好读。
FL灰
2
只
SRAM
2
只
2.7-3.3V电源闪存只
2.7-3.3V电源为（ P）仅SRAM
未连接引脚
T3.0 1256
V
SSF2
V
SSS2
V
SS
地
地
地
电源供应器（闪存）
电源（ （ P） SRAM ）
无连接
V
DD
F
V
DD
S
NC
1. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
16
对于SST34HF1622C / S，A
17
对于SST34HF1642C / D / S和A
18
对于SST34HF1682D
2.只有LS包
2004硅存储技术公司
S71256-00-000
3/04
11
