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A64E06161
页面模式说明
页模式操作需要的事实优势
相邻的地址可以读取在较短的时间比
随机地址。写操作不支持
可比页面模式功能。在页模式
操作可以启用，并在CR寄存器禁用。如果
在CR寄存器位A7被设置为“1”时，页面模式操作
启用。
该A64E06161提供了以下操作模式
降低功耗：
1.深度掉电（ DPD ）模式
2.降低内存大小（ RMS）模式
3.部分阵列刷新（ PAR ）模式
4.温度补偿刷新（ TCR ）模式
到一个“0”。该设备停留在深度掉电（ DPD ）
模式，直到ZZ驱动为高电平。如果A4的寄存器位被设置
等于“ 1 ” ，深度掉电（ DPD）模式将不
激活。一旦A64E06161退出深度掉电
（DPD）方式，在CR寄存器的内容被破坏和
在CR寄存器将进入正常时的默认状态
操作。
2.降低内存大小（ RMS）模式
在这种模式下， A64E06161可以作为还原操作
大小的设备。例如，一种可以操作16M
A64E06161为4M或8M的内存块。减少内存
大小（RMS）的模式可以由具有适当的启用
在CR寄存器中设置。该模式是有效的，一旦ZZ
变为高电平并保持在降低内存大小（ RMS）
模式，直至全阵列通过设置寄存器CR恢复
再次。上电时，所有四个部分设备是
激活和A64E06161进入其默认状态
全内存大小和更新的空间。
1.深度掉电（ DPD ）模式
在此模式下，内部刷新是关闭的，所有的数据
阵列的完整性丧失。深度掉电（ DPD ）模式
由ZZ低进入并保持10us的用A4寄存器位设置
变量地址空间 - 地址模式
A2
0
0
0
1
1
1
0
0
0
1
1
1
部分阵列刷新模式（ A3 = 0 ，A4 = 1）
A1, A0
刷新节
地址
11
该模具的四分之一
00000H - 3FFFFH （ A19 = A18 = 0 ）
10
该模具的一半
00000H - 7FFFFH （ A19 = 0 ）
01
四分之三模具
00000H - BFFFFh （ A19 ： A18
≠
11)
11
10
01
11
10
01
11
10
01
该模具的四分之一
该模具的一半
四分之三模具
C0000H - FFFFh时（ A19 = A18 = 1 ）
80000h - FFFFFh地址（ A19 = 1 ）
SIZE
256K × 16
512K × 16
768K × 16
256K × 16
512K × 16
768K × 16
256K × 16
512K × 16
768K × 16
256K × 16
512K × 16
768K × 16
密度
4M
8M
12M
4M
8M
12M
4M
8M
12M
4M
8M
12M
40000H - FFFFFh地址（ A19 ： A18
≠
00)
降低内存大小模式（ A3 = 1 ， A4 = 1 ）
该模具的四分之一
00000H - 3FFFFH （ A19 = A18 = 0 ）
该模具的一半
00000H - 7FFFFH （ A19 = 0 ）
四分之三模具
00000H - BFFFFh （ A19 ： A18
≠
11)
该模具的四分之一
该模具的一半
四分之三模具
C0000H - FFFFh时（ A19 = A18 = 1 ）
80000h - FFFFFh地址（ A19 = 1 ）
40000H - FFFFFh地址（ A19 ： A18
≠
00)
初步
（ 2004年11月， 0.1版）
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