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256MB ， 512MB无缓冲的SODIMM
6.0功能框图
6.1 256MB ， 32M ×64的非ECC模块（ M470L3324CU0 ）
（填充的是x16的DDR SDRAM内存模块1行）
CS0
DQS0
DM0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQS1
DM1
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
LDQS
LDM
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
UDQS
UDM
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
CS
DQS4
DM4
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQS5
DM5
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
LDQS
LDM
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
UDQS
UDM
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
CS
DDR SDRAM
D0
D2
DQS2
DM2
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQS3
DM3
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
LDQS
LDM
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
UDQS
UDM
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
CS
D1
DQS6
DM6
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQS7
DM7
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
LDQS
LDM
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
UDQS
UDM
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
CS
D3
BA0 - BA1
A0 - A12
RAS
CAS
CKE0
WE
BA0 - BA1 ： DDR SDRAM芯片D0 - D3
A0 - A12 ： DDR SDRAM芯片D0 - D3
RAS ： SDRAM的D0 - D3
CAS ： SDRAM的D0 - D3
CKE ： SDRAM的D0 - D3
WE： SDRAM的D0 - D3
时钟
输入
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
时钟布线
SDRAM的
2 SDRAM的
2 SDRAM的
NC
CK0/1/2
CK0/1/2
卡
EDGE
D1/D3/Cap
R=120
±
5%
盖/帽/帽
D0/D2/Cap
V
DDSPD
V
DD
/V
DDQ
盖/帽/帽
SPD
D0 - D3
D0 - D3
串行PD
SCL
WP
A0
SA0
A1
SA1
A2
SA2
VREF
V
SS
D0 - D3
D0 - D3
注意事项：
1. DQ到I / O接线如图recom-
修补，而是可以改变。
2. DQ / DQS / DM / CKE / CS关系必须
被保持，如图所示。
SDA
3. DQ ， DQS ， DM / DQS电阻： 22欧姆。
修订版1.2 2005年6月
