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超低噪声XFET
电压参考
与当前库和源能力
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
特点
低噪声（ 0.1 Hz至10 Hz ） ： 3.5 μV峰峰值@ 2.5 V输出
无需外部电容
低温COEF网络cient
A级： 10 PPM / ° C最大值
B级：为3 ppm / ° C最大值
负载调整率： 15 PPM / MA
线路调整率： 20 PPM / V
宽工作范围
ADR430 ： 4.1 V至18 V
ADR431 ： 4.5 V至18 V
ADR433 ： 5.0 V至18 V
ADR434 ： 6.1 V至18 V
ADR435 ： 7.0 V至18 V
ADR439 ： 6.5 V至18 V
高输出电流： 30毫安/ -20毫安
使用温度范围广：
40°C
至+ 125°C
销刀豆网络gurations
TP
1
V
IN 2
7
NC
顶视图
NC
3
6
V
OUT
（不按比例）
GND
4
5
TRIM
ADR43x
8
TP
NC =无连接
图1. 8引脚MSOP
（ RM后缀）
TP
1
V
IN 2
NC =无连接
应用
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗器械
工业过程控制系统
光控制电路
精密仪器
图2. 8引脚SOIC
（R SUF网络X）
概述
该电压源ADR43x系列是一个家庭的XFET基准电压源
具有低噪声，高精度和低温度漂移
性能。利用ADI公司拥有专利权的温度漂移曲率
校正和XFET （额外注入结型场效应管）技术，
该电压源ADR43x的电压变化与温度的非线性是
最小化。
该XFET引用在较低的功耗（800 μA ）和操作
电源裕量（ 2 V ），比埋齐纳参考。 Buried-
齐纳参考需要5 V以上的裕量进行操作。
该电压源ADR43x XFET基准是唯一的低噪声解决方案
5 V系统。
该电压源ADR43x系列有能力提供高达30毫安
和吸收高达20 mA的输出电流。它还配备了一个
TRIM终端来调整输出电压在0.5％范围内
而不会影响性能。该电压源ADR43x可用
在8引脚的迷你型SOIC和8引脚SOIC封装。
所有版本均工作在扩展工业温度
TURE范围（ -40∞C至+ 125∞C ） 。
表1.选择指南
模型
ADR430B
ADR430A
ADR431B
ADR431A
ADR433B
ADR433A
ADR434B
ADR434A
ADR435B
ADR435A
ADR439B
ADR439A
V
OUT
(V)
2.048
2.048
2.500
2.500
3.000
3.000
4.096
4.096
5.000
5.000
4.500
4.500
准确性
（毫伏）
±1
±3
±1
±3
±1.4
±4
±1.5
±5
±2
±6
±2
±5.4
温度COEF网络cient
（ PPM / ° C）
3
10
3
10
3
10
3
10
3
10
3
10
版本B
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04500-0-041
7
NC
顶视图
NC
3
（不按比例）
6
V
OUT
5
TRIM
GND
4
ADR43x
8
TP
04500-0-001
