ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
工作原理
该电压源ADR43x系列基准的采用了新的参考一代
技术称为XFET （额外注入结FET） 。
这种技术产生的低电源电流参考，好
热滞，和极低的噪声。的核心
XFET参考包括两个结型场效应晶体管
（ JFET的） ，其中的一个有一个额外的沟道注入，以提高其
夹断电压。通过在相同的漏极上运行两个JFET的
当前，在夹断电压的差值进行放大，并
用于形成高度稳定的参考电压。
的固有参考电压约为0.5伏以负
约-120 ppm的温度系数/ °以下。这是坡
基本上是恒定的，以硅和罐的介电常数
紧密地加入生成的校正项的补偿
以同样的方式作为比例对温度（ PTAT）的
长期用于补偿带隙基准电压。最大的优势
的XFET基准是修正项是大约30倍
低（因此，需要较少的校正）比的带隙
参考，从而导致低得多的噪声，因为大部分的
的带隙参考噪声来自温度
补偿电路。
图29示出了电压源ADR43x系列的基本拓扑。该
温度校正项是由一个电流源提供
以设计为绝对温度成比例的值。
一般的公式是
V
OUT
=
G
×
(
ΔV
P
R1
×
I
PTAT
ADR43x系列的引用保证提供负载
电流至10 mA的输入电压从4.5伏的范围内
到18伏。当这些设备在较高的使用在应用程序
电流，用户应该使用下面的公式来解释
温度效应引起的功率损耗增大。
T
J
=
P
D
× θ
JA
+
T
A
其中：
T
J
和
T
A
是结点和环境温度下，
分别。
P
D
是该装置的功耗。
θ
JA
是器件封装热阻。
(2)
基本的参考电压连接
电压基准，在一般情况下，需要一个旁路电容
从V连接
OUT
到GND 。该电路在图30中
示出了用于该ADR43x系列的基本配置
引用。除了一个0.1 μF的电容，在输出帮助
提高噪声抑制，较大的输出电容在
不要求输出的电路的稳定性。
TP
1
V
IN
10F
+
0.1F
2
8
TP
网卡
产量
TRIM
0.1F
04500-0-003
ADR43x
7
6
网卡
3
顶视图
（不按比例）
4
5
)
(1)
NIC =无内部连接
TP =测试引脚（ DO NOT CONNECT ）
其中：
G
是分压比的倒数的增益。
V
P
在两只JFET之间夹断电压的差值。
I
PTAT
是正温度系数的校正电流。
电压源ADR43x装置由片上调整R2中创建的，并
R3至达到2.048 V或2.500 V时，分别在参考
输出。
I
1
I
PTAT
I
1
V
IN
图30.基本的参考电压配置
噪声性能
由ADR43x系列的参考文献所产生的噪声是
典型地小于3.75 μV峰峰值在0.1赫兹至10.0赫兹频带
为ADR430 ， ADR431和ADR433 。图22示出了0.1
赫兹至ADR431 ，这是只有3.5 μV峰峰值的10 Hz的噪声。该
噪声测量是用由一个带通滤波器
2极的高通滤波器的拐角频率在0.1赫兹和一
2极点低通滤波器，角频率为10.0赫兹。
ADR43x
V
OUT
R2
开启时间
在施加功率的（冷启动） ，所需的时间
输出电压中的指定达到其最终值
误差带被定义为导通的稳定时间。两个康波
通常与此相关联的堂费是时间为活性
电路定居和时间上的热梯度
芯片来稳定。图17和图18示出了导通
建立时间为ADR431 。
*
V
P
R1
R3
04500-0-002
*额外的沟道注入
V
OUT
= G （ ΔV
P
– R1
×
I
PTAT
)
GND
图29.简化原理图设备
功率耗散考虑事项
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