飞利浦半导体
产品speci fi cation
频率合成器
AC特性
HEF4750V
LSI
一般注意事项
动态特定网络连接的阳离子，给出了该电路内置了外部组件如在图8中给出，根据
下面的条件;对于德网络nitions见注1 ;对于时间去连接nitions看到图19 ; V
DD
= 10 V
±
5%; T
AMB
= 25
°C;
输入
转换时间
≤
20纳秒;
A
= 68 k
±
的30％ （也见注4）;
A
= 270 pF的;
B
= 150 pF的;
C
= 1 nF的;
D
= 10nF的;除非
另有规定ED 。
符号
压摆率
TCA
TCA
TCB
TCB
线性斜坡
TCA
TCB
开始的TCA斜坡延迟
对TCA保持延迟
TCA放电延迟
开始的TCB斜坡延迟
TCB-斜坡时间
I
TCA
I
TCB
t
CBCA
t
RCA
t
VCA
t
VCB
t
RCB
t
RCB
t
RCB
TCB所需的最小。
斜坡时间
脉冲宽度
V ： LOW
V ：高
R： LOW
R： HIGH
STB ： LOW
STB ：高
下降时间
TCA
TCB
预分频器输入频率
二分频
晶体振荡器频率
平均供电电流
与加速1 ： 10
没有加速
I
P
I
P
3,6
3,2
mA
mA
t
FCA
t
FCB
f
PR
f
DIV
f
OSC
50
50
30
30
10
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
锁定状态
15
16
所有的分频比
所有的分频比
t
PWVL
t
PWVH
t
PWRL
t
PWRH
t
PWSL
t
PWSH
20
20
20
20
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RCB
150
ns
14
2
2
200
40
60
60
250
350
450
%
%
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
MOD
= 4 V
V
MOD
= 6 V
V
MOD
= 8 V
13
13
S
TCA
S
TCA
S
TCB
S
TCB
52
28
20
10
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
R
A
最低
R
A
=最大
R
A
最低
R
A
=最大
12
12
12
12
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
笔记
1995年1月
11
