位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第921页 > MT28F004B5-1 > MT28F004B5-1 PDF资料 > MT28F004B5-1 PDF资料2第5页
4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
真值表（ MT28F400B5 ）
1
功能
RP ＃
CE＃
OE ＃ WE＃ WP ＃ BYTE ＃
X
X
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
X
X
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
X
H
X
H
X
X
X
X
H
L
X
X
X
X
H
L
X
X
X
X
X
H
H
L
L
X
H
A0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
X
X
X
X
X
X
V
PPH
X
V
PPH
V
PPH
X
X
V
PPH
V
PPH
X
V
PPH
V
PPH
V
PPH
V
PPH
X
X
DQ0–
DQ7
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
20h
D0h
10h/40h
数据在
数据在
FFH
20h
D0h
D0h
10h/40h
数据在
数据在
数据在
数据在
FFH
89hX
DQ8–
DQ14
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
高-Z
X
X
X
数据在
X
X
X
X
X
X
数据在
数据在
X
X
X
00h
DQ15/
A-1
高-Z
高-Z
数据输出
A-1
高-Z
X
X
X
数据在
A-1
X
X
X
X
X
数据在
数据在
A-1
A-1
X
–
H
H
待机
L
X
RESET
读
H
L
READ （字模式）
H
L
READ （字节模式）
H
L
输出禁用
写/擦除（除引导块）
2
H
L
删除设置
3
H
L
擦除确认
H
L
写设置
H
L
写（字模式）
4
4
H
L
WRITE （字节模式）
H
L
读阵列
5
2
写/擦除（ BOOT BLOCK ）
H
L
删除设置
V
HH
L
擦除确认
3
3, 6
H
L
擦除确认
H
L
写设置
4
V
HH
L
写（字模式）
H
L
写（字模式）
4, 6
4
V
HH
L
WRITE （字节模式）
4, 6
H
L
WRITE （字节模式）
H
L
读阵列
5
7
设备Identi科幻阳离子
H
L
生产厂家
兼容性（字
模式）
8
H
L
生产厂家
兼容性（字节
模式）
H
L
设备（字模式，顶部
8
BOOT ）
H
L
设备（字节模式，顶部
BOOT ）
H
L
设备（字模式，
8
底部启动）
H
L
设备（字节模式，
底部启动）
注：1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
L
H
X
L
L
V
ID
X
89h
高-Z
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
X
H
L
H
L
H
H
H
H
V
ID
V
ID
V
ID
V
ID
X
X
X
X
70h
70h
71h
71h
44h
高-Z
44h
高-Z
–
X
–
X
L = V
IL
（低） ，H = V
IH
（高）中，X = V
IL
或V
IH
（ “无关” ） 。
V
PPH
= 5V.
操作之前必须先擦除设置命令。
操作之前必须先写SETUP命令。
读阵列写入或擦除后之前，必须发出读阵列命令。
当WP ＃ = V
IH
， RP ＃可能是在V
IH
或V
HH
.
A1 -A8 ， A10 ， A17 = V
IL
.
值反映DQ8 - DQ15 。
4MB的智能5引导块闪存
MT28F004B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
5
2002年，美光科技公司
