4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
写入/擦除周期
WE＃ -CONTROLLED写/擦除
V
IH
A0–A17/(A18)
V
IL
V
IH
CE＃
V
IL
V
IH
OE ＃
V
IL
V
IH
WE＃
V
IL
V
IH
V
IL
V
HH
V
IH
RP ＃
3
V
IL
V
IH
WP ＃
3
V
IL
tVPS1
[解锁引导块]
TDS
CMD
in
TRS
TDH
TDS
CMD /
数据在
TRHS
[解锁引导块]
TDH
状态
(SR7=0)
状态
(SR7=1)
tRHH
CMD
in
TWP
TCS
总胆固醇
TWC
TWPH
tWED1/2/3/4
TWB
注1
TAS
TAH
TAS
A
IN
TAH
DQ0–DQ7/
DQ0–DQ15
2
TVPH
V
PPH
V
PPLK
V
PP
V
IL
写SETUP或
清除设置的输入
[5V V
PP
]
写入或擦除（块）
地址生效，
将数据写入或擦除
CONFIRM发行
写或擦除
执行时，状态寄存器
检查完成
命令为下
发出操作
不在乎
时序参数
商用温度（ 0℃
T
A
+70C)
扩展温度（ -40°C
T
A
+85C)
-8 / -8 ET
符号
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
-8 / -8 ET
单位
符号
t
t
t
t
t
t
t
t
t
民
最大
民
最大
单位
WC
4
WPH
4
WP
4
AS
AH
DS
DH
CS
CH
VPS1
80
30
50
50
0
50
0
0
0
200
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
RS
RHS
WED1
WED2
WED3
WED4
WB
VPH
RHH
1,000
100
4.5
100
100
500
200
0
0
ns
ns
s
ms
ms
ms
ns
ns
ns
注：1 。
地址输入“无关”，但必须保持稳定。
2.
如果BYTE ＃为低电平时，数据和指令是8位。如果BYTE ＃为高电平时，数据是16位和命令是8位
（ MT28F400B5只） 。
4MB的智能5引导块闪存
MT28F004B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
2002年，美光科技公司
26
