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SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
ISM状态寄存器
8位的ISM状态寄存器（见表2）进行轮询
检查写或擦除或完成任何
相关的错误。期间或之后一写，擦除或
擦除挂起，读操作输出的台站
土族登记在DQ0 - DQ7内容没有事先的COM
命令。而状态寄存器内容被读出，
如果有在ISM改变输出不更新
状态，除非OE ＃或CE ＃被触发。如果该设备是不
在写入，擦除，擦除暂停或状态寄存器读
模式下，读状态寄存器（ 70H ）可以发出
查看状态寄存器的内容。
所有定义的比特由在ISM设置，但是只有
在ISM和擦除挂起状态位被重置
ISM 。擦除，写入和V
PP
状态位必须是
使用清除状态寄存器清零。将VPP
状态位（ SR3 ）被设置时，对CEL不会进一步使
写或擦除操作，直到状态寄存器
清除。这使得用户能够选择何时轮询
并清除状态寄存器。例如，主机系
TEM可以执行多个字节写操作
检查状态寄存器，而不是之前检查
每个写操作之后。断言RP ＃信号
或断电的设备也会清零状态
注册。
表2：
状态
位＃
SR7
状态寄存器
状态寄存器位
ISM状态
1 =就绪
0 =忙
擦除挂起状态
1 =擦除暂停
0 =擦除/已完成
擦除状态
1 =块擦除错误
0 =成功的块擦除
写状态
1 =字/字节写入错误
0 =成功字/字节写
V
PP
状态
1 =无V
PP
电压检测
0 = V
PP
现
版权所有
描述
在ISMS位显示状态机的工作状态
写或块擦除操作。该控制逻辑民调此位
以确定何时擦除和写入状态位是有效的。
发出擦除挂起的地方在暂停模式的ISM和
设置此和ISMS的位为“1” ESS的位保持为“1” ，直到一个
删除恢复发放。
ES被设置为“1”，则执行擦除周期的最大数目后
由没有成功的ISM验证。 ES只能通过清除清除
状态寄存器命令或复位后。
WS是后写周期的最大数目设置为“ 1”的
通过ISM没有成功验证执行。 WS仅由一个清
清除状态寄存器命令或复位后。
V
PP
S检测为V的存在
PP
电压。它不监视V
PP
连续地，也没有指示有效V
PP
电压。在V
PP
引脚
取样5V写或擦除CONFIRM发出后。 V
PP
s必须是
通过清除状态寄存器或复位清零。
留作将来使用。
SR6
SR5
SR4
SR3
SR0-2
4MB的智能5引导块闪存
MT28F004B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
12
2002年，美光科技公司
