4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
电容
(T
A
= + 25°C ; F = 1 MHz）的
参数/条件
输入电容
输出电容
符号
C
I
C
O
最大
9
12
单位
pF
pF
READ和待机电流消耗
（注： 1 ）商用温度（ 0℃
T
A
+ 70°C ）和扩展级温度（ -40℃
T
A
+85C)
参数/条件
读电流：字宽， TTL输入电平
（ CE ＃ = V
IL
; OE ＃ = V
IH
; F = 10MHz的;其他输入= V
IL
或V
IH
;
RP ＃ = V
IH
)
读电流：字宽， CMOS输入电平
（ CE ＃
0.2V ; OE ＃
V
CC
- 0.2V ; F = 10MHz的;其他投入
0.2V或
V
CC
- 0.2V ; RP ＃
V
CC
- 0.2V)
读电流：字节宽， TTL输入电平
（ CE ＃ = V
IL
; OE ＃ = V
IH
; F = 10MHz的;其他输入= V
IL
或V
IH
;
RP ＃ = V
IH
)
读电流：字节宽， CMOS输入电平
（ CE ＃
0.2V ; OE ＃
V
CC
- 0.2V ; F = 10MHz的;其他投入
0.2V或
V
CC
- 0.2V ; RP ＃ = V
CC
- 0.2V)
待机电流： TTL电平输入
V
CC
电源的待机电流（ CE ＃ = RP ＃ = V
IH
;
其它输入= V
IL
或V
IH
)
待机电流： CMOS输入电平
V
CC
电源的待机电流（ CE ＃ = RP ＃ = V
CC
- 0.2V)
深度掉电电流： V
CC
供应（ RP ＃ = V
SS
±0.2V)
待机或读电流： V
PP
电源（V
PP
5.5V)
深度掉电电流： V
PP
供应（ RP ＃ = V
SS
±0.2V)
符号
I
CC
1
最大
55
单位
mA
笔记
2, 3
I
CC
2
50
mA
2, 3
I
CC
3
55
mA
2, 3
I
CC
4
50
mA
2, 3
I
CC
5
2
mA
I
CC
6
I
CC
8
I
PP
1
I
PP
2
130
20
±15
5
A
A
A
A
注：1 。
VCC = MAX在国际协调委员会的测试。
2.
国际刑事法院是依赖于周期率。
3.
国际刑事法院是依赖于输出负载。指定的值与输出的开放获取。
4MB的智能5引导块闪存
MT28F004B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
20
2002年，美光科技公司
