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M48Z02 ， M48Z12
数据保持方式
凭有效V
CC
应用时， M48Z02 / 12工作
作为一个传统的单字节宽静态RAM 。
如果电源电压衰减时， RAM将非盟
tomatically电源故障取消，写保护它 -
自当V
CC
属于内伏
PFD
（最大值） ，V
PFD
（分钟）窗口。所有输出变为高阻
ANCE ，并且所有的输入都被视为“不关心”。
注意：
在写周期，电源故障可能
在当前位置寻址损坏的数据，
但不危及RAM的CON-其余
帐篷里。在低于V的电压
PFD
（分钟），用户可
保证内存将在保护写入
状态，提供了V
CC
下降时间不大于吨以下
F
.
该M48Z02 / 12可为瞬态噪声回应
在V尖峰
CC
该伸入取消选择窗口
在当时的设备采样V
CC
。 There-
脱颖而出，电源线的去耦是消遣
ommended 。
所述电源开关电路连接外部V
CC
到RAM中，并断开时，电池V
CC
上升超过V
SO
。由于V
CC
上升时，电池电压
被检查。如果电压过低时，内部
电池不正常（ BOK ）标志将被置位。在BOK
标志可以加电后进行检查。如果BOK标志
设置，尝试第一次写操作将被阻止。
该标志后的第一个自动清除
写和正常RAM操作恢复。图 -
URE 9说明了如何BOK例行检查可能是
结构化。
对于在电池贮存寿命再详细信息
FER的应用笔记AN1012 。
图9.检查BOK标志状态
上电
读数据
在任何地址
写数据
补充BACK
TO同一地址
读数据
AT SAME
地址AGAIN
IS的数据
补
湖南第一
读？
（ BATTERY OK）
是的
NO （ BATTERY LOW ）
NOTIFY系统
电池电力不足
（数据可
损坏）
写原创
数据传回
同一个地址
CONTINUE
AI00607
图10.掉电/模式AC波形
VCC
VPFD （最大）
VPFD （分钟）
VSO
tF
tPD的
输入
认可
TDR
TFB
TRB
不关心
tR
TREC
记
认可
高-Z
输出
有效
（每个控制输入）
有效
（每个控制输入）
AI00606
注：输入可能会或可能不会在此时识别。需注意保持é高达V
CC
上升超过V
PFD
（分钟）。有些系统
可以执行V后无意写周期
CC
上升超过V
PFD
（分钟），但正常的系统操作开始之前。即使一个
上电复位时被施加到处理器，复位条件也可以不发生，直到在系统运行后。
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