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TM124MBK36B ， TM124MBK36R 1048576 36位
TM248NBK36B ， TM248NBK36R 2097152 36位
动态RAM模块
SMMS137E - 1991年1月 - 1995 REVISEDJUNE
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组织
TM124MBK36B 。 。 。 1 048 576
×
36
TM248NBK36B 。 。 。 2 097 152
×
36
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
72引脚无引线单列直插式内存
模块（ SIMM ）为使用套接字
TM124MBK36B ，开发前景8个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包和1个4兆位
四CAS DRAM的塑料小外形
J形引线（ SOJ ）封装
TM248NBK36B ，采用16个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包和两个4兆位
四CAS DRAM的塑料小外形
J形引线（ SOJ ）包
龙刷新周期
16毫秒（ 1024个周期）
所有输入，输出，时钟完全TTL
兼容
三态输出
常见的CAS控制九种
数据输入和数据输出线，四大板块
增强的页面模式操作使用
CAS先于RAS （ CBR ） ， RAS -而已，
隐藏刷新
D
D
设备检测
性能范围：
ACCESS
时间
TRAC
（最大）
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
ACCESS READ ACCESS
时间
时间
OR
TAA
大隘社写
周期
（最大）
（最大）
（分钟）
30纳秒
15纳秒
110纳秒
35纳秒
18纳秒
130纳秒
40纳秒
20纳秒
150纳秒
30纳秒
15纳秒
110纳秒
35纳秒
18纳秒
130纳秒
40纳秒
20纳秒
150纳秒
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’124MBK36B-60
’124MBK36B-70
’124MBK36B-80
’248NBK36B-60
’248NBK36B-70
’248NBK36B-80
低功耗
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
金标签式的版本可供选择：
- TM124MBK36B
- TM248NBK36B
锡铅（焊接）选项卡式版本
可用：
- TM124MBK36R
- TM248NBK36R
描述
TM124MBK36B
该TM124MBK36B是有组织的四倍动态随机存取存储器（ DRAM） 1 048 576
×
9
（第9位通常用于奇偶校验）的72引脚无引线单列直插存储器模块（ SIMM ） 。在SIMM是
由八个TMS44400DJ ， 1 048 576
×
4位的DRAM ，每26分之20引脚塑料小外形J形引脚
包（ SOJs ） ，和1 TMS44460DJ ， 1 048 576
×
4位四CAS DRAM的26分之24引脚塑料
小外形J引线封装（ SOJ ） ，安装有去耦电容的基板上。每个TMS44400DJ
和TMS44460DJ是在TMS44400或TMS44460数据表，分别描述。
该TM124MBK36B是与插座采用单面BK无铅模块中使用。
该TM124MBK36B特点是60纳秒， 70纳秒，和80 ns的RAS访问时间。该器件的额定工作
从0℃至70℃。
TM248NBK36B
该TM248NBK36B是组织为四次DRAM 2 097 152
×
9 （第9位通常用于奇偶校验）在一
72引脚无引线SIMM 。在SIMM是由16 TMS44400DJ ， 1 048 576
×
4位的DRAM中，每个在
二十六分之二十零引脚塑料小外形J形引脚封装（ SOJs ） ，以及两个TMS44460DJ ， 1 048 576
×
4位四CAS
DRAM的每一个均处于26分之24引线塑料小外形J引线封装（ SOJ ） ，安装有一个基片上
去耦电容。每个TMS44400DJ和TMS44460DJ的TMS44400和TMS44460描述
数据表，分别。
本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
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