ICS9147-01
在3.3V电气特性
V
DD
= 3.0 - 3.7 V，T
A
= 0 – 70
°
C除非另有说明
参数
上升时间
1
上升时间
1
下降时间
1,3
上升时间
1
下降时间
1
上升时间
1
下降时间
1
上升时间
1,3
上升时间
1
下降时间
1,3
上升时间
1
下降时间
1
占空比
1
抖动，周期循环
1
抖动，哦NE西格玛
1, 2
抖动，绝对
1, 2
抖动，哦NE西格玛
1
抖动，绝对
1
输入频率
1
逻辑输入电容
1
晶澳scillator电容
1
上上电时间
1
时钟歪斜
1
时钟歪斜
1
时钟歪斜
1,2
时钟歪斜
1
Symbo升
Tr1a
Tr1b
Tf1
Tr2
Tf2
Tr3
Tf3
Tr4
Tr4a
Tf4
Tr5
Tf5
Dt
Tjc-
Tj1s1
Tjab1
Tj1s2
Tjab2
Fi
CIN
CINX
吨
Tsk1
Tsk2
Tsk3
Tsk4
AC Characte RIS抽动
试验共nditio NS
20pF的负载，为0.8 2.0V
中央处理器; VDD = 3.3V
20pF的负载，为0.8 2.0V
中央处理器; VDDL @ 2.5V
20pF的负载， 2.0 0.8V的CPU ;
30pF的负载SDRAM 0.8 2.0V
30pF的负载SDRAM 2.0 0.8V
30pF的负载总线0.8 2.0V
30pF的负载总线2.0 0.8V
20pF的负载，为0.8 2.0V
24 ， 48 ， REF2 ， & IO APIC
45pF的负载， 0.8 2.0V ， IO APIC与
VDDL = 2.5V
20pF的负载， 2.0 0.8V
24 ， 48 ， REF2 ， & IO APIC
负载= 45pF 0.8 2.0V IO APIC
VDD = 3.3V
负载= 45pF 2.0 0.8V ， REF1
VDD = 3.3V
20pF的负载@ VO UT = 1.4V
CPU ， VDD2 = 3.0 3.7V
中央处理器;负载= 20pF的，
SDRAM &总线时钟负载= 30pF的
中央处理器;负载= 20pF的，
SDRAM &总线时钟负载= 30P
REF2 ， 48 / 24MHz的负载= 20pF的，
REF1 CL = 47pF的
REF2 ， 48 / 24MHz的负载= 20pF的，
REF1 CL = 47pF的
逻辑输入引脚
X1 ， X2引脚
从VDD = 1.6V至66.6月1日穿越
兆赫VDD电源斜坡< 40毫秒
CPU到CPU ;负载= 20pF的; @ 1.4V
（同VDD ）
总线到总线;负载= 20pF的; @ 1.4V
CPU与总线;负载= 20pF的; @ 1.4V
（ CPU早）
SDRAM（ @ 3.3V ）提供至CPU （ @ 2.5V）
（ 2.5V的CPU是晚）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
0.9
1.5
0.8
1.0
0.9
1.2
1. 1
0.83
2.2
0.81
1.6
1.6
45
-
- 250
-
-5
12.0
-
-
-
-
-
1
50
150
50
-
1
2
14.318
5
18
2.5
15 0
300
2.6
250
最大
1.5
2.0
1.4
1.6
1.5
2.0
1. 9
1.4
2.6
1. 3
2.0
2.0
55
250
150
250
3
5
16 . 0
-
-
4.5
250
500
4
400
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
%
ps
ps
ps
%
%
兆赫
pF
pF
ms
ps
ps
ns
ps
注1 ：
参数由设计和特性保证。不是100 ％生产测试。
注2 ：
包括VDD2 = 2.5V
注3 ：
VDD3 = 3.3V
7
