飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±5
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
30
27
1
0.5
-
-
-
-
-
-
-
PHB45N03LT
典型值。
-
-
1.5
-
-
0.05
-
10
20
16
-
马克斯。
-
-
2
-
2.3
10
500
100
24
21
45
单位
V
V
V
V
A
A
nA
m
m
m
动态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 25 A
I
D
= 40 A; V
DD
= 24 V; V
GS
= 5 V
分钟。
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
16
23
3
9
1050
270
140
30
80
95
40
3.5
4.5
7.5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
45
130
135
55
-
-
-
单位
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 15 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 5 V ;
G
= 5
阻性负载
从测得的标签，模具中心
从漏铅焊料测
点模具中心
从源铅焊料测
点源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A; - 二
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.95
1.0
52
0.08
马克斯。
45
180
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1997年12月
2
启1.300
