SD57045-01
射频功率晶体管
该
LDMOST
家庭
高级数据
N沟道增强模式横向
MOSFET的
½
½
½
½
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 45瓦PEP 13 dB增益@ 945 MHz的
氧化铍无铅封装
M250
（环氧树脂密封）
订货编号
SD57045-01
BRANDING
TSD57045-01
描述
该SD57045-01是一种常见的源N沟道
增强模式横向场效应RF
功率晶体管专为宽带
在商业和工业应用
频率高达1.0 GHz的。该SD57045-01是
设计用于高增益和宽带
在共源模式经营业绩
在28V 。它非常适用于基站的应用
要求高的线性度。
引脚连接
1.漏
2.门
绝对最大额定值
(T
例
= 25
o
C)
符号
V
（ BR ） DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
双SS
T
j
T
英镑
参数
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1M)
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T C = 70℃）
马克斯。操作摄像结温
储存温度
o
3.Source
价值
65
65
±
20
5
93
200
-65 200
UNI吨
V
V
V
A
W
o
o
C
C
热数据
(T
例
= 70
o
C)
R
日（J -C ）
R
第（三-s ）
结 - 壳热阻
情况下，散热器热阻
1.4
0.50
o
o
C / W
C / W
*使用平面铝或铜散热器与应用（道康宁340或同等学历）热复合而定。
2000年3月
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