三菱N沟道功率MOSFET
FS30VSJ-06
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
t
rr
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 15A ，V
GS
= 10V
I
D
= 15A ，V
GS
= 4V
I
D
= 15A ，V
GS
= 10V
I
D
= 15A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
60
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
1.5
25
31
0.38
28
1800
340
180
17
46
120
95
1.0
—
60
马克斯。
—
±0.1
0.1
2.0
30
38
0.45
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
2.77
—
单位
V
A
mA
V
m
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 30V ，我
D
= 15A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 15A ，V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 30A ， DIS / DT = -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
T
C
= 25°C
单脉冲
40
TW = 10毫秒
30
100ms
1ms
10ms
DC
20
10
0
0
50
100
150
200
3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
50
V
GS
= 10V 5V 4V
T
C
= 25°C
脉冲测试
20
V
GS
= 10V 5V
4V 3V
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
40
16
30
3V
12
2.5V
20
P
D
= 45W
8
10
2V
4
2V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
